[發(fā)明專利]InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210027372.4
• 申請日: 2012-02-08
• 公開（公告）號: CN102569484A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃建亮;馬文全;張艷華;曹玉蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0304
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，包括：

一襯底；

一緩沖歐姆接觸層，制作在襯底上；

一第一二類超晶格層，制作在緩沖歐姆接觸層上，該第一二類超晶格層位于緩沖歐姆接觸層的中間，使緩沖歐姆接觸層上面的兩側(cè)形成臺面；

一本征二類超晶格光吸收層，制作在第一二類超晶格層上；

一第二二類超晶格層，制作在本征二類超晶格光吸收層上；

一歐姆接觸層，制作在第二二類超晶格層上；

一鈍化層，覆蓋緩沖歐姆接觸層兩側(cè)的部分臺面、第一二類超晶格層、本征二類超晶格光吸收層、第二二類超晶格層和歐姆接觸層的側(cè)面，及歐姆接觸層上的兩側(cè)面，覆蓋歐姆接觸層的該鈍化層的中間有一透光口，覆蓋緩沖歐姆接觸層的該鈍化層兩側(cè)的臺面上分別有一電極窗口；

一上電極，制作在透光口的兩側(cè)；

一下電極，制作在電極窗口內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中該襯底的材料為GaSb。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中該緩沖歐姆接觸層的材料為P型GaSb，該第一二類超晶格層的材料為P型InAs/GaSb，該本征二類超晶格光吸收層的材料為InAs/GaSb，該第二二類超晶格層的材料為N型InAs/GaSb，該歐姆接觸層的材料為N型InAs。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述的緩沖歐姆接觸層的厚度為500nm至1000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述的歐姆接觸層的厚度為10nm至20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述第一二類超晶格層的厚度為400nm至700nm，其摻雜濃度為10¹⁸cm^-3至10¹⁹cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述的第二二類超晶格層的厚度為400nm至700nm，其摻雜濃度為10¹⁸cm^-3至10¹⁹cm^-3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述的本征二類超晶格吸收層的材料為InAs/GaSb，是由交替生長的大于400個周期或者1.6微米以上的InAs層/InSb界面層/GaSb層/As-soak組成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中所述上電極和下電極采用鈦金合金，該鈦金合金中各層的厚度是Ti為100nm，Au為300nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InAs/GaSb二類超晶格紅外探測器，其中該鈍化層的材料采用SiO_xN_y，0＜x＜2，0＜y＜4/3。