[發明專利]晶片級發光二極管結構的制造方法及發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201210027255.8
• 申請日: 2012-02-02
• 公開（公告）號: CN103187491B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 蔡曜駿;許鎮鵬;林國豐;劉訓志;胡鴻烈;孫健仁
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L23/544
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

1.一種晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，包含：

提供一生長基板，其上依序成長有一第一半導體層、一發光層、及一第二半導體層；

對該第一半導體層、該發光層、及該第二半導體層進行一第一圖形化制程，定義出多個第一凹陷區以及多個第二凹陷區，其中多個疊層結構是對應形成于該第二凹陷區內，以及一第一半導體層的延伸區是對應配置于與一預定切割線重疊的該第一凹陷區內；

形成至少一第一電極于該第一凹陷區內的該第一半導體層延伸區；以及

形成一第二電極于該第二凹陷區內的疊層結構上。

2.根據權利要求1所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

利用該第一電極及該第二電極測量該晶片級發光二極管結構的電流-電壓性質、驅動電壓、或發光光譜。

3.根據權利要求2所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

依測量的結果，對該晶片級發光二極管結構進行分類標示或分類選定。

4.根據權利要求3所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

形成一保護層以包覆該第二半導體層的側壁、該發光層的側壁以及在第二凹陷區內的該第一半導體層的側壁。

5.根據權利要求2所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

在形成該第二電極于該第二凹陷區內的疊層結構上之后，對該第一半導體層的延伸區進行蝕刻，以露出該生長基板。

6.根據權利要求5所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

沿該預定的切割線對該生長基板進行切割，得到多個發光二極管芯片，其中該預定的切割線寬度小于或等于該第一凹陷區截面寬度。

7.根據權利要求5所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，該第一電極是設置在該預定切割線之內或之外。

8.根據權利要求5所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，還包含：

設置兩條預定的切割線分別于該第一電極的兩側；以及

沿該預定的切割線對該生長基板進行切割，得到多個發光二極管芯片。

9.一種晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，包含：

提供一生長基板，其上依序成長有一第一半導體層、一發光層、及一第二半導體層；

對該第一半導體層、該發光層、及該第二半導體層進行一圖形化制程，定義出多個第一凹陷區以及多個第二凹陷區，其中多個疊層結構是對應形成于該第二凹陷區內，以及一第一半導體層的延伸區是對應配置于與一預定切割線重疊的該第一凹陷區內，且其中至少一第二凹陷區內并無配置該疊層結構；

形成至少一第一電極于未配置疊層結構的該第二凹陷區內；以及

形成一第二電極于該第二凹陷區內的疊層結構上。

10.根據權利要求9所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，未配置疊層結構的該第二凹陷區并未與該預定的切割線重疊。

11.根據權利要求9所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，未配置疊層結構的該第二凹陷區是位于該生長基板的一周圍區域內。

12.根據權利要求9所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，未配置疊層結構的該第二凹陷區是位于該生長基板的一中央區域內。

13.根據權利要求9所述的晶片級發光二極管結構的制造方法，其特征在于，未配置疊層結構的該第二凹陷區是同時位于該生長基板的一周圍區域及一中央區域內，以復核該疊層結構的光電性質。