[發明專利]加強的梯度線圈

無效

• 申請號: 201210027151.7
• 申請日: 2012-02-08
• 公開（公告）號: CN102636765A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: S.J.卡爾弗特
• 申請（專利權）人: 英國西門子公司
• 主分類號: G01R33/385
• 分類號: G01R33/385
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李家麟

1.一種在磁共振成像中使用的圓柱形超導磁體系統，

包括：

軸向對準的初級超導線圈（30），其被定位在外部真空腔室（OVC）（14）內；

圍繞初級超導線圈的熱輻射屏蔽（16），其處在OVC內；

與初級超導線圈軸向對準并且被徑向地定位在初級超導線圈之內的梯度線圈組件（22），

其中，所述圓柱形超導磁體系統還包括機械支撐組件（24），其徑向地位于初級超導線圈的外部并且機械附著（26）到梯度線圈組件，其特征在于，所述機械支撐組件通過機械附著件（26）而機械附著到梯度線圈組件，所述機械附著件（26）穿過經過OVC和熱輻射屏蔽的通孔。

2.根據權利要求1的圓柱形超導磁體系統，其中，所述機械附著件穿過相鄰的初級超導線圈之間。

3.根據權利要求1或權利要求2的圓柱形超導磁體系統，其中，OVC中的孔洞被延伸在OVC的膛管（14b）與凹部（28）之間的徑向導向的管（40）密封，并且其中所述機械附著件穿過所述管。

4.根據權利要求3的圓柱形超導磁體系統，其中，所述熱輻射屏蔽中的孔洞被與密封OVC的管同軸延伸的徑向導向的管（40）密封。

5.根據權利要求1的圓柱形超導磁體系統，其中，所述機械支撐組件包括兩個環形結構，每一個環形結構在梯度線圈組件的軸向極端附近機械附著到所述梯度線圈組件。

6.根據權利要求1的圓柱形超導磁體系統，其中，所述機械支撐組件包括管狀結構，其在梯度線圈組件的軸向中間平面的兩側上機械附著到所述梯度線圈組件。

7.根據任一項前述權利要求的圓柱形超導磁體系統，其中，OVC及其內容被支撐（70）在支撐表面（72）上，并且所述梯度線圈組件和相關聯的機械支撐組件被獨立于OVC及其內容而支撐（64）在所述支撐表面上。

8.根據任一項前述權利要求的圓柱形超導磁體系統，還包括容納初級磁體線圈的冷凍劑容器（12），從而使得熱輻射屏蔽在OVC內圍繞所述冷凍劑容器。

9.根據權利要求6的圓柱形超導磁體系統，其中，OVC包括膛管（14b）、外部圓柱形壁（14a）以及各環形末端件，其中各末端件中的一個具有定義凹部（28）的凹入部分，并且所述管狀結構位于所述凹部內。

10.根據權利要求5的圓柱形超導磁體系統，其中，OVC包括膛管（14b）、外部圓柱形壁（14a）以及各環形末端件，兩個末端件具有定義相應凹部（28）的相應凹入部分，并且相應環形結構位于每一個凹部內。

11.根據權利要求6的圓柱形超導磁體系統，其中，在初級超導線圈和所述管狀結構的徑向外部提供次級屏蔽超導線圈（32），提供機械附著并且對OVC密封的中間支撐件（50），次級屏蔽超導線圈（32）被安裝在另一個機械支撐結構（52）上，所述另一個機械支撐結構（52）被支撐在支撐件（50）上，所述支撐件（50）本身被機械支撐在OVC上。

12.根據權利要求11的圓柱形超導磁體系統，其中，在所述磁體結構的遠離空腔28的軸向末端處，次級屏蔽超導線圈（32）通過環形磁體連接結構（56）機械連接到初級磁體線圈（30）；熱輻射屏蔽（16）的環形部件（58）和OVC（14）的環形部件（60）包圍環形磁體連接結構（56），并且分別完成熱輻射屏蔽和OVC。

13.根據權利要求1-6當中的任一項的圓柱形超導磁體系統，其中，所述梯度線圈組件連接到OVC和熱輻射屏蔽外部的機械支撐組件。

14.根據權利要求13的圓柱形超導磁體系統，其中，所述機械支撐組件包括位于初級超導線圈和OVC的軸向外部的環形支撐圓環。

15.根據任一項前述權利要求的圓柱形超導磁體系統，其中，所述機械保持結構包括腔室（82），其在使用中填充有液體或松散材料以便為所述機械保持結構提供質量和慣性。