[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210027007.3
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN102569189A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 山崎舜平;宮入秀和;秋元健吾;白石康次郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在柵電極之上形成絕緣膜；

在所述柵電極之上形成氧化物半導體膜，所述絕緣膜在所述氧化物半導體膜和所述柵電極之間，所述氧化物半導體膜包括將成為溝道形成區域的區域；和

在不施加偏壓的情況下，用包含氧的氣體的等離子體來處理所述氧化物半導體膜的上表面。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于還包括如下步驟：在用等離子體處理所述氧化物半導體膜的上表面的步驟之前，在所述氧化物半導體膜之上形成源電極和漏電極。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氣體包括N₂O。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氣體包括O₂。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過在包含大于或等于90％的氧的氣氛中進行濺射來形成所述氧化物半導體膜。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過在包含大于或等于90％的氧的氣氛中進行濺射來形成所述絕緣膜。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物半導體膜包括銦。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物半導體膜包括銦、鎵和鋅。

9.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在柵電極之上形成第一絕緣膜，該第一絕緣膜包括硅、氮和氫；

在所述第一絕緣膜上形成包括硅和氧的第二絕緣膜；

加熱所述第一絕緣膜以從該第一絕緣膜除去所述氫的至少一部分；

在加熱所述第一絕緣膜的步驟之后，在所述第二絕緣膜上形成氧化物半導體膜，該氧化物半導體膜包括將成為溝道形成區域的區域；和

用包含氧的氣體的等離子體來處理所述氧化物半導體膜的上表面。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于還包括如下步驟：在用等離子體處理所述氧化物半導體膜的上表面的步驟之前，在所述氧化物半導體膜之上形成源電極和漏電極。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述氣體包括N₂O。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述氣體包括O₂。

13.如權利要求9所述的方法，其特征在于，通過在包含大于或等于90％的氧的氣氛中進行濺射來形成所述氧化物半導體膜。

14.如權利要求9所述的方法，其特征在于，通過在包含大于或等于90％的氧的氣氛中進行濺射來形成所述第二絕緣膜。

15.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化物半導體膜包括銦。

16.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化物半導體膜包括銦、鎵和鋅。

17.如權利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述第二絕緣膜之前執行所述加熱的步驟。

18.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜通過等離子體CVD形成。

19.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二絕緣膜通過濺射形成。

20.如權利要求9所述的方法，其特征在于，在不施加偏壓的情況下執行處理所述氧化物半導體膜的上表面的所述步驟。

21.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在柵電極之上形成第一絕緣膜，該第一絕緣膜包括硅、氮和氫；

在所述第一絕緣膜上形成包括硅和氧的第二絕緣膜；

加熱所述第一絕緣膜以從該第一絕緣膜除去所述氫的至少一部分；

在加熱所述第一絕緣膜的步驟之后，在所述第二絕緣膜上形成氧化物半導體膜，該氧化物半導體膜包括將成為溝道形成區域的區域；

用包含氧的氣體的等離子體來處理所述氧化物半導體膜的上表面；

在所述氧化物半導體膜之上形成第三絕緣膜，該第三絕緣膜包括硅和氧；

在所述第三絕緣膜之上形成第四絕緣膜，該第四絕緣膜包括氮化物；和

在形成所述第四絕緣膜之后，對所述氧化物半導體膜進行退火。