[發明專利]DRAM結構及其制造方法與IC結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210026396.8
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN102790055A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 劉豪杰;拉斯·漢涅克;江秉潔
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種具有埋入式字元線的DRAM結構，其特征在于，包括：

一半導體基板；

多條記憶胞用字元線，埋入于該基板中，并以第一閘介電層與該基板相隔；以及

多條隔離字元線，埋入于該基板中，并以第二閘介電層與該基板相隔，

其中，該些記憶胞用字元線的頂面與該些隔離字元線的頂面低于該基板的頂面，且該些隔離字元線的底面低于該些記憶胞用字元線的底面。

2.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些隔離字元線的頂面與該些記憶胞用字元線的頂面實質上共平面。

3.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些隔離字元線的頂面低于該些記憶胞用字元線的頂面，但高于該些記憶胞用字元線的底面。

4.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些隔離字元線的頂面與該些記憶胞用字元線的底面實質上共平面，或低于該些記憶胞用字元線的底面。

5.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些記憶胞用字元線劃分為多對記憶胞用字元線，其中每一對以一條隔離字元線與相鄰的另一對記憶胞用字元線相隔。

6.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些記憶胞用字元線與該些隔離字元線的材質包括金屬性材料。

7.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該金屬性材料包括氮化鈦、氮化鉭、鎢或多晶硅。

8.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該第一閘介電層與該第二閘介電層的材質包括二氧化硅或氮化硅。

9.根據權利要求1所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些記憶胞用字元線的頂面比該基板的頂面低約700～且該些記憶胞用字元線的厚度約為700～

10.根據權利要求9所述的具有埋入式字元線的DRAM結構，其中該些隔離字元線的底面比該些記憶胞用字元線的底面低以下。

11.一種具有埋入式字元線的DRAM結構的制造方法，其特征在于，包括：

在一半導體基板中形成多個第一溝渠與較該些第一溝渠深的多個第二溝渠；

在每一個第一溝渠與每一個第二溝渠中形成一閘介電層；以及

在該些第一溝渠中形成多條記憶胞用字元線，且在該些第二溝渠中形成多條隔離字元線，

其中，該些隔離字元線的頂面與該些記憶胞用字元線的頂面低于該基板的頂面。

12.根據權利要求11所述的具有埋入式字元線的DRAM結構的制造方法，其中形成該些第一溝渠與該些第二溝渠的步驟包括：

在該基板上形成第一罩幕層，其中具有該些第一溝渠的圖案與該些第二溝渠的圖案；

形成第二罩幕層，其覆蓋該些第一溝渠的圖案；

以該第一罩幕層與該第二罩幕層為罩幕蝕刻該基板，以形成該些第二溝渠；

移除該第二罩幕層；以及

以該第一罩幕層為罩幕蝕刻該基板，以形成該些第一溝渠，并加深該些第二溝渠。

13.根據權利要求11所述的具有埋入式字元線的DRAM結構的制造方法，其中形成該些第一溝渠與該些第二溝渠的步驟包括：

在該基板上形成多個罩幕圖案；

在每一個罩幕圖案的側壁上形成第一間隙壁；

在每一個第一間隙壁的側壁上形成第二間隙壁；

以該些罩幕圖案、該些第一間隙壁與該些第二間隙壁為罩幕蝕刻該基板，以形成該些第二溝渠；

移除該些罩幕圖案的頂部、該些第一間隙壁的頂部與該些第二間隙壁的頂部；

移除剩余的該些第一間隙壁；以及

以剩余的該些罩幕圖案與剩余的該些第二間隙壁為罩幕蝕刻該基板，以形成該些第一溝渠，并加深該些第二溝渠。

14.根據權利要求13所述的具有埋入式字元線的DRAM結構的制造方法，其中移除該些罩幕圖案的頂部、該些第一間隙壁的頂部與該些第二間隙壁的頂部的步驟包括化學機械研磨制程。

15.根據權利要求14所述的具有埋入式字元線的DRAM結構的制造方法，還包括在該些第二溝渠形成之后，但在該些罩幕圖案的頂部、該些第一間隙壁的頂部及該些第二間隙壁的頂部移除之前，于該基板上形成填充該些第二溝渠的一填充材料。