[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210026318.8
• 申請(qǐng)日: 2012-02-07
• 公開（公告）號(hào): CN102637653A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯拉沃·基欽;尼古拉·舒爾茨;穆納?！だＤ?/a>;拉斐爾·施內(nèi)爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ABB研究有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/34
• 分類號(hào): H01L23/34
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

1.一種半導(dǎo)體器件(1)，包括：

半導(dǎo)體元件(4)；以及

用于冷卻所述半導(dǎo)體元件(4)的冷卻裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體元件(4)是包括第一電極(8)和第二電極(13)的逆導(dǎo)型半導(dǎo)體開關(guān)，所述第一電極(8)和所述第二電極(13)布置在所述半導(dǎo)體元件的相反面上；

所述冷卻裝置包括第一冷卻元件(2)，所述第一冷卻元件(2)與所述半導(dǎo)體元件(4)的第一電極(8)相接觸以將來自于所述半導(dǎo)體元件(4)的熱負(fù)荷轉(zhuǎn)移至所述第一冷卻元件(2)，所述第一冷卻元件(2)由導(dǎo)電材料制成以使所述半導(dǎo)體元件的所述第一電極(8)電連接至外部設(shè)備；

所述冷卻裝置還包括第二冷卻元件(3，3′)，所述第二冷卻元件(3，3′)與所述半導(dǎo)體元件(4)的所述第二電極(13)相接觸以將來自于所述半導(dǎo)體元件(4)的熱負(fù)荷轉(zhuǎn)移至所述第二冷卻元件(3，3′)，所述第二冷卻元件(3，3′)由導(dǎo)電材料制成以使所述半導(dǎo)體元件(4)的所述第二電極電連接至外部設(shè)備；以及

所述半導(dǎo)體器件(1)包括電連接至所述半導(dǎo)體元件(4)的柵極以控制所述半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的接口(12)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述接口(12)包括從所述半導(dǎo)體器件(1)突出的導(dǎo)體；以及

所述接口(12)通過布置在所述第一冷卻元件(2)或所述第二冷卻元件(3，3′)的內(nèi)表面(5)上的導(dǎo)電路徑(9)連接至所述半導(dǎo)體元件的柵極，所述導(dǎo)電路徑(9)通過電絕緣材料層(10)與所述內(nèi)表面(5)分離開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述接口(12)通過金屬化的陶瓷結(jié)構(gòu)或通過包括所述導(dǎo)電路徑(9)以及所述電絕緣材料層(10)在內(nèi)的印刷電路板連接至所述半導(dǎo)體元件(4)的柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電路徑(9)中的至少一路電連接至所述第一冷卻元件(2)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電路徑(9)中的至少一路電連接至所述第二冷卻元件(3，3′)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述第一和第二冷卻元件(2，3，3′)之間的空間至少部分地填充有電隔離材料(17)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一電極(8)通過導(dǎo)電材料被鍵合到所述第一冷卻元件(2)，以及所述第二電極(13)通過導(dǎo)電材料被鍵合到所述第二冷卻元件(3，3′)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件(4)為RC-IGBT或BiGT。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，用于容置裝配螺釘?shù)目?16)延伸穿過所述半導(dǎo)體器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一和第二冷卻元件(2，3，3′)具有不同的尺寸或形狀，或者所述第一或第二冷卻元件(2，3，3′)中的至少一個(gè)設(shè)置有用于提供到所述半導(dǎo)體器件內(nèi)的內(nèi)部布線(11)的位置的訪問的開口(18)。