[發明專利]RF功率放大器穩定性網絡

有效

• 申請號: 201210026207.7
• 申請日: 2007-10-23
• 公開（公告）號: CN102595761A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 薩爾瓦托雷·波利佐
• 申請（專利權）人: MKS儀器有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01J37/32;H03F3/217
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種向等離子體室施加RF功率的射頻發生器，包括：

DC電源；

在中心頻率產生所述RF功率的射頻晶體管；以及

穩定性網絡，所述穩定性網絡包括：

與所述DC電源和所述晶體管連線連接的低通終接網絡，所述低通終接網絡具有小于所述中心頻率的第一截止頻率；和

與所述RF功率連線的高通濾波器，所述高通濾波器具有小于所述中心頻率的第二截止頻率，低通終接網絡和高通濾波器與所述低通終接網絡協作以在低于所述中心頻率的預定工作頻率上控制所述晶體管處的阻抗。

2.根據權利要求1所述的射頻發生器，其中所述第二截止頻率大約等于所述中心頻率的0.6倍。

3.根據權利要求1所述的射頻發生器，其中所述高通耗散終接網絡包括耗散元件。

4.根據權利要求1所述的射頻發生器，進一步包括保真性網絡，所述保真性網絡包括：

與所述RF功率離線連接并具有大于所述中心頻率的第三截止頻率的高通終接網絡；以及

與所述RF功率連線的低通濾波器，所述低通濾波器具有大于所述中心頻率的第四截止頻率，所述高通終接網絡和所述低通濾波器協作以在高于所述中心頻率的預定工作頻率上控制所述晶體管處的阻抗。

5.根據權利要求4所述的射頻發生器，其中所述高通耗散終接網絡在預定的工作頻率范圍內呈現電抗。

6.根據權利要求4所述的射頻發生器，其中所述第三截止頻率大約等于所述中心頻率的1.66倍。

7.根據權利要求4所述的射頻發生器，其中所述第四截止頻率大約等于所述中心頻率的1.66倍。

8.根據權利要求4所述的射頻發生器，進一步包括被連接至所述RF功率并包括小于所述中心頻率的帶通中心頻率的帶通濾波器。

9.根據權利要求8所述的射頻發生器，其中所述帶通中心頻率是所述中心頻率的0.5倍。

10.一種向等離子體室施加RF功率的射頻發生器，包括：

在中心頻率產生RF功率的射頻晶體管；

被連接在所述晶體管中的相應晶體管與相關聯的DC電源之間的低通耗散終接網絡；以及

基于來自所述射頻晶體管的所述RF功率產生RF功率信號的組合器，其中所述RF功率信號被施加到所述負載；并且

其中所述低通耗散終接網絡具有小于所述中心頻率的第一截止頻率。

11.根據權利要求10所述的射頻發生器，其中所述低通耗散終接網絡包括相應的耗散元件。

12.根據權利要求10所述的射頻發生器，其中所述低通耗散終接網絡在預定的頻率范圍內呈現電抗。

13.根據權利要求10所述的射頻發生器，其中所述第一截止頻率大約等于所述中心頻率的0.6倍。

14.根據權利要求10所述的射頻發生器，進一步包括與來自所述晶體管的相應RF功率串聯并具有小于所述中心頻率的第二截止頻率的高通濾波器。

15.根據權利要求14所述的射頻發生器，其中所述第二截止頻率大約等于所述中心頻率的0.6倍。

16.根據權利要求10所述的射頻發生器，進一步包括被連接至來自所述晶體管的相應RF功率并包括大于所述中心頻率的第三截止頻率的高通耗散終接網絡。

17.根據權利要求16所述的射頻發生器，其中所述高通耗散終接網絡包括相應的耗散元件。

18.根據權利要求16所述的射頻發生器，其中所述高通耗散終接網絡在預定的頻率范圍呈現電抗。

19.根據權利要求16所述的射頻發生器，其中所述第三截止頻率大約等于所述中心頻率的1.66倍。

20.根據權利要求10所述的射頻發生器，進一步包括與來自所述晶體管的相應RF功率串聯并包括大于所述中心頻率的第四截止頻率的低通濾波器。

21.根據權利要求20所述的射頻發生器，其中所述第四截止頻率大約等于所述中心頻率的1.66倍。

22.根據權利要求10所述的射頻發生器，進一步包括被連接至來自所述晶體管的相應RF功率并包括小于所述中心頻率的帶通中心頻率的帶通濾波器。