[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210025865.4
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN102544029A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 賈沛;楊流洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供基板；

在所述基板上依次沉積第一透明導電層和第一金屬層，利用第一多段式調整光罩對所述第一透明導電層和第一金屬層進行圖案化，形成柵極和共通電極，所述柵極包括第一透明導電層和第一金屬層，所述共通電極由第一透明導電層形成；

在所述基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層和半導體層，利用第一光罩對所述半導體層進行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導體層；

在所述基板上繼續(xù)沉積第二透明導電層和第二金屬層，利用第二多段式調整光罩來圖案化第二透明導電層和第二金屬層，在半導體層上形成包括第二透明導電層和第二金屬層的源極和漏極，在所述共通電極對應的柵絕緣層上由所述第二透明導電層形成像素電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源極、漏極和像素電極后，所述方法還包括以下步驟：

在所述素電極、以及構成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質形成。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一多段式調整光罩和所述第二多段式調整光罩采用灰階色調光罩、堆棧圖層光罩或半色調光罩。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明導電層和所述第一金屬層通過濺射法依次沉積形成。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵絕緣層和所述半導體層通過化學氣相沉積法依次沉積形成。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二透明導電層和所述第二金屬層通過濺射法依次沉積形成。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鉬金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鉬金屬層、第二鋁金屬層以及第三鉬金屬層組合形成。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第一多段式調整光罩形成柵極及共通電極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第一金屬層進行濕法刻蝕，使用草酸對所述第一透明導電層進行濕法刻蝕。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第二多段式調整光罩在半導體層上形成源極、漏極以及像素電極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第二金屬層進行濕法刻蝕，使用草酸對所述第二透明導電層進行濕法刻蝕。

10.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

基板；

多個薄膜晶體管，設置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導體層、所述源極及漏極是依序形成于所述基板上；所述柵極包括第一透明導電層和第一金屬層，所述源極及所述漏極包括第二透明導電層和第二金屬層；

共通電極，由所述基板上的第一透明導電層形成；

多個像素電極，由所述柵絕緣層上的第二透明導電層形成，并與所述薄膜晶體管的所述漏極連接。