[發明專利]轉接板及其形成方法

有效

• 申請號: 201210025745.4
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN102625576A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 楊銘堃;劉滄宇;何彥仕
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K3/42;H01L23/538;H01L21/48
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種轉接板，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一第一孔洞，自該基底的該第一表面朝該第二表面延伸；

一第二孔洞，自該基底的該第一表面朝該第二表面延伸，其中該第一孔洞的一口徑不同于該第二孔洞的一口徑；

一絕緣層，位于該基底之上，且延伸于該第一孔洞的一側壁上及該第二孔洞的一側壁上；以及

一導電層，位于該基底上的該絕緣層之上，且延伸進入該第一孔洞的該側壁上，其中該第二孔洞之中大抵不具有任何的導電層。

2.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，該第一孔洞的該口徑大于該第二孔洞的該口徑。

3.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，還包括一第二絕緣層，位于該導電層與該絕緣層之間。

4.根據權利要求3所述的轉接板，其特征在于，該第二絕緣層位于該基底的該第一表面之上。

5.根據權利要求4所述的轉接板，其特征在于，該第二絕緣層的一厚度大于該絕緣層的一厚度。

6.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，還包括一第二導電層，覆蓋于該導電層的一表面之上。

7.根據權利要求6所述的轉接板，其特征在于，還包括一第三絕緣層，覆蓋于一部分的該導電層之上，其中該第二導電層覆蓋于該導電層的另一部分之上。

8.根據權利要求6所述的轉接板，其特征在于，該第二導電層覆蓋該導電層的一側邊。

9.根據權利要求6所述的轉接板，其特征在于，該第二導電層的一側邊與該導電層的一側邊大抵共平面。

10.根據權利要求6所述的轉接板，其特征在于，該第二導電層的材質不同于該導電層的材質。

11.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，還包括一第三絕緣層，覆蓋于部分的該導電層之上。

12.一種轉接板的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面；

自該基底的該第一表面移除部分的該基底以形成朝該第二表面延伸的一第一孔洞；

自該基底的該第一表面移除部分的該基底以形成朝該第二表面延伸的一第二孔洞，其中該第一孔洞的一口徑不同于該第二孔洞的一口徑；

于該基底上形成一絕緣層，其中該絕緣層延伸于該第一孔洞的一側壁上及該第二孔洞的一側壁上；以及

于該基底上的該絕緣層上形成一導電層，其中該導電層延伸進入該第一孔洞的該側壁上，且該第二孔洞之中大抵不具有任何的導電層。

13.根據權利要求12所述的轉接板的形成方法，其特征在于，該第一孔洞及該第二孔洞的形成步驟包括：

于該基底的該第一表面上形成一遮罩層，該遮罩層具有一第一開口及一第二開口，皆露出部分的該基底，其中該第一開口的口徑不同于該第二開口的口徑；

以該遮罩層為罩幕，蝕刻露出的該基底以形成該第一孔洞及該第二孔洞；以及

移除該遮罩層。

14.根據權利要求13所述的轉接板的形成方法，其特征在于，還包括自該基底的該第二表面薄化該基底而使該第一孔洞及該第二孔洞露出。

15.根據權利要求12所述的轉接板的形成方法，其特征在于，還包括于該導電層與該絕緣層之間形成一第二絕緣層。

16.根據權利要求12所述的轉接板的形成方法，其特征在于，該導電層的形成步驟包括：

于基底的該第一表面上、該第二表面上、該第一孔洞的該側壁上及該第二孔洞的該側壁上形成一導電材料層；

于該導電材料層上形成一第二遮罩層，該第二遮罩層具有多個開口，露出部分的該導電材料層及該導電材料層位于該第二孔洞的該側壁上的部分，且該第二遮罩層覆蓋該第一孔洞；

以該第二遮罩為罩幕，蝕刻露出的該導電材料層以將該導電材料層圖案化為該導電層；以及

移除該第二遮罩層。

17.根據權利要求16所述的轉接板的形成方法，其特征在于，還包括于該導電層的表面上形成一第二導電層，其中該第二導電層覆蓋該導電層的一側邊。