[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210025734.6
• 申請(qǐng)日: 2012-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN102629626B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 新田恭也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司44202
• 代理人: 溫旭,郝傳鑫

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

(a)橫向擴(kuò)散的MISFET，所述MISFET包括：

(a1)柵極電極，所述柵極電極經(jīng)由柵極絕緣膜設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的第一表面上以沿第一方向延伸；以及

(a2)源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域設(shè)置在所述柵極電極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中，所述漏極區(qū)域設(shè)置在所述柵極電極另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中；

(b)源極接點(diǎn)，所述源極接點(diǎn)設(shè)置在位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極電極一側(cè)的第二區(qū)域中，所述源極接點(diǎn)電耦合至所述源極區(qū)域；

(c)源極配線，所述源極配線設(shè)置在所述源極接點(diǎn)上；

(d)漏極接點(diǎn)，所述漏極接點(diǎn)設(shè)置在位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極電極另一側(cè)的第一區(qū)域中，所述漏極接點(diǎn)電耦合至所述漏極區(qū)域；以及

(e)漏極配線，所述漏極配線設(shè)置在所述漏極接點(diǎn)上，

其中，所述漏極接點(diǎn)線性設(shè)置在所述第一區(qū)域中以沿所述第一方向延伸，以及

其中，所述源極接點(diǎn)包括多個(gè)分離的源極接點(diǎn)，所述多個(gè)分離的源極接點(diǎn)以預(yù)定的間隔沿第一方向排列在第二區(qū)域中。

2.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

(a)橫向擴(kuò)散的MISFET，所述MISFET包括：

(a1)柵極電極，所述柵極電極經(jīng)由柵極絕緣膜設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的第一表面上以沿第一方向延伸；以及

(a2)源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域設(shè)置在所述柵極電極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中，所述漏極區(qū)域設(shè)置在所述柵極電極另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中；

(b)源極接點(diǎn)，所述源極接點(diǎn)設(shè)置在位于半導(dǎo)體襯底上的柵極電極的一側(cè)上的第二區(qū)域，所述源極接點(diǎn)電耦合至所述源極區(qū)域；

(c)源極配線，所述源極配線設(shè)置在所述源極接點(diǎn)上；

(d)漏極接點(diǎn)，所述漏極接點(diǎn)設(shè)置在位于半導(dǎo)體襯底上的柵極電極的另一側(cè)上的第一區(qū)域中，所述漏極接點(diǎn)電耦合至所述漏極區(qū)域；以及

(e)漏極配線，所述漏極配線設(shè)置在所述漏極接點(diǎn)上，

其中，所述漏極接點(diǎn)包括多個(gè)分離的漏極接點(diǎn)，所述多個(gè)分離的漏極接點(diǎn)以第一間隔沿第一方向設(shè)置在所述第一區(qū)域中，

其中，所述源極接點(diǎn)包括多個(gè)分離的源極接點(diǎn)，所述多個(gè)分離的源極接點(diǎn)以第一間隔沿第一方向設(shè)置在所述第二區(qū)域中，并且

其中，將各個(gè)分離的漏極接點(diǎn)沿所述第一方向移位以使所述漏極接點(diǎn)位于沿所述第一方向的所述分離的源極接點(diǎn)之間。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述漏極配線包括多個(gè)分離的漏極配線，所述多個(gè)分離的漏極配線以第二間隔沿所述第一方向排列于所述第一區(qū)域中。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極配線線性設(shè)置在所述第二區(qū)域中以沿所述第一方向延伸，從而覆蓋所述分離的源極接點(diǎn)。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述源極配線包括切斷部分，所述切斷部分通過使沿所述第一方向延伸的源極配線的端部中的在漏極接點(diǎn)側(cè)的源極配線的一個(gè)端部沿第二方向縮進(jìn)而形成，所述第二方向與所述第一方向相交，并且

其中，所述切斷部分設(shè)置在所述分離的源極接點(diǎn)之間。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分離的源極接點(diǎn)沿所述第二方向的寬度大于其沿所述第一方向的寬度，所述第二方向與所述第一方向相交。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述漏極配線包括多個(gè)分離的漏極配線，所述多個(gè)分離的漏極配線以第二間隔沿所述第一方向排列在所述第一區(qū)域中。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極配線線性設(shè)置在所述第二區(qū)域中以沿所述第一方向延伸，從而覆蓋所述分離的源極接點(diǎn)。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述源極配線包括切斷部分，所述切斷部分通過使沿所述第一方向延伸的源極配線的端部中的在漏極接點(diǎn)側(cè)的源極配線的一個(gè)端部沿第二方向縮進(jìn)而形成，所述第二方向與所述第一方向相交，并且

其中，所述切斷部分設(shè)置在所述分離的源極接點(diǎn)之間。