[發(fā)明專利]包括金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210025733.1 | 申請日： | 2005-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN102543947A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 奧古斯托·M·瑪奎斯 | 申請（專利權(quán)）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 金屬網(wǎng) 結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體 集成電路 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路，包含多個(gè)設(shè)備，所述半導(dǎo)體集成電路包括：
第一區(qū)域；
第二區(qū)域；以及
多個(gè)金屬層、每一個(gè)金屬層為第二區(qū)域下方的第一區(qū)域中的設(shè)備提供互連，至少第一個(gè)金屬層插入在第一和第二區(qū)域之間并包括由多個(gè)孔形成的至少一個(gè)金屬網(wǎng)區(qū)域，所述金屬網(wǎng)區(qū)域在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間提供屏蔽，其中所述至少一個(gè)金屬網(wǎng)層設(shè)置在設(shè)備上方。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述第一區(qū)域包括具有一個(gè)或多個(gè)有源半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備層。
3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路，其中所述第二區(qū)域包括包含電路導(dǎo)線的金屬化層。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導(dǎo)性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電容屏蔽，以獲得半導(dǎo)體集成電路的適當(dāng)操作。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導(dǎo)性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電感屏蔽，以獲得半導(dǎo)體集成電路的適當(dāng)操作。
6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中由金屬導(dǎo)線形成所述金屬網(wǎng)層，其中金屬導(dǎo)線包括指向第一方向的第一組平行導(dǎo)線和指向第二方向的第二組平行導(dǎo)線，其中第一組導(dǎo)線的每個(gè)導(dǎo)線與第二組導(dǎo)線中的每條導(dǎo)線交叉并且電連接，并且其中第二方向與第一方向正交。
7.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體集成電路，其中金屬網(wǎng)在第一方向比第二方向具有較小的間距。
8.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體集成電路，其中金屬導(dǎo)線在第一方向和第二方向上均勻地間隔。
9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中第二區(qū)域包括第一電容，所述第一電容具有由層間電介質(zhì)材料分離的第一對傳導(dǎo)板。
10.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體集成電路，其中第二區(qū)域進(jìn)一步包括第二電容，所述第二電容具有由所述層間電介質(zhì)材料分離的第二對傳導(dǎo)板。
11.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體集成電路，其中第一和第二電容是等效結(jié)構(gòu)以提供匹配的電容值。
12.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述至少一個(gè)金屬網(wǎng)區(qū)域在整個(gè)第一金屬層上方延伸。
13.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述至少一個(gè)金屬網(wǎng)區(qū)域在第一金屬層的一部分上方延伸。
14.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述第1金屬層包括至少兩個(gè)間隔開的金屬網(wǎng)區(qū)域。
15.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路，其中所述多個(gè)金屬層中的第二個(gè)金屬層包括另外的金屬網(wǎng)區(qū)域。
16.一種半導(dǎo)體集成電路，包含多個(gè)設(shè)備，所述半導(dǎo)體集成電路包括：
第一區(qū)域；
第二區(qū)域；以及
多個(gè)金屬層，每一個(gè)金屬層為第二區(qū)域下方的第一區(qū)域中的設(shè)備提供互連，至少第一個(gè)金屬層包含位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的屏蔽，其中所述屏蔽由包括均勻間隔開口的圖案的第一金屬層形成，其中所述屏蔽設(shè)置在設(shè)備上方。
17.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體集成電路，其中所述第一區(qū)域包括具有一個(gè)或多個(gè)有源半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備層。
18.如權(quán)利要求17的半導(dǎo)體集成電路，其中所述第二區(qū)域包括包含電路導(dǎo)線的第二金屬層。
19.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體集成電路，其中所述屏蔽的傳導(dǎo)性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電容屏蔽，以獲得半導(dǎo)體集成電路的適當(dāng)操作。
20.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體集成電路，其中所述屏蔽的傳導(dǎo)性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電感屏蔽，以獲得半導(dǎo)體集成電路的適當(dāng)操作。
21.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體集成電路，其中第二區(qū)域包括第一電容，所述第一電容具有由層間電介質(zhì)材料分離的第一對傳導(dǎo)板。
22.如權(quán)利要求21的半導(dǎo)體集成電路，其中第二區(qū)域進(jìn)一步包括第二電容，所述第二電容具有由所述層間電介質(zhì)材料分離的第二對傳導(dǎo)板。
23.如權(quán)利要求22的半導(dǎo)體集成電路，其中第一和第二電容是等效結(jié)構(gòu)以提供匹配的電容值。
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