[發(fā)明專利]帶有V型槽的微小硅片的切斷方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210025574.5
• 申請(qǐng)日: 2012-02-06
• 公開（公告）號(hào): CN102581967A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪東生;梁強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽白鷺電子科技有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/00
• 分類號(hào): B28D5/00
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）準(zhǔn)備好左支架和右支架及一塊用于沖撞的撞塊，撞塊的下端呈錐形結(jié)構(gòu)；

（2）在微小硅片上的Y方向上設(shè)有兩個(gè)橫槽，橫槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深；

（3）將微小硅片放置在左、右兩個(gè)支架上，且左、右兩個(gè)支架之間有間距，使微小硅片上Y方向上的兩個(gè)橫槽與左、右支架的內(nèi)側(cè)邊正好對(duì)應(yīng)；

（4）用撞塊輕輕敲壓微小硅片的位于左、右支架之間的部位，將微小硅片斷成三段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于：在所述的步驟（2）中，微小硅片的Y方向上的兩個(gè)橫槽的制作方法是：

1）利用低壓化學(xué)氣相沉積在硅片表面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；

2）在硅片表面涂光刻膠并干燥，形成光刻膠膜；

3）將事先做好圖形的掩模放在硅片上方，在光刻機(jī)中曝光形成潛影；

4）顯影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有圖形結(jié)構(gòu)的膠膜；

5）硅片放入真空腔中充入特定氣體并放電，在低壓等離子體中刻蝕沒有膠膜保護(hù)的氮化硅，直至徹底清除氮化硅并露出單晶硅；

6）用去膜劑除掉膠膜，露出具有圖形結(jié)構(gòu)的氮化硅；

7）在堿性腐蝕液中濕法刻蝕露出的硅片，直至形成橫槽。