[發(fā)明專利]薄膜晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210025111.9
• 申請(qǐng)日: 2012-02-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103247668A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾堅(jiān)信
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/786
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種薄膜晶體管，包括基板、設(shè)于基板上的活性層及柵極，所述活性層包括溝道層及分別位于該溝道層相對(duì)兩側(cè)并與該溝道層電連接的源極、漏極，該柵極位于溝道層的上方或者下方，柵極與溝道層之間設(shè)置有柵絕緣層，其特征在于：所述活性層由至少兩層氧化物半導(dǎo)體層堆疊而成，且每相鄰的兩層氧化物半導(dǎo)體層采用不同的材料制成。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述活性層的每一層的材料選自IGZO、IZO、AZO、GZO、ITO、GTO、ATO、TiOx及ZnO其中之一。

3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于：還包括分別與源極及漏極電連接的源極電極及漏極電極，所述源極電極及漏極電極分別與活性層中禁帶寬度最小的氧化物半導(dǎo)體層電性連接。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述活性層由第一氧化物半導(dǎo)體層及第二氧化物半導(dǎo)體層交替堆疊而成。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述第二氧化物半導(dǎo)體層的禁帶寬度小于第一氧化物半導(dǎo)體層的禁帶寬度。

6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述第二氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度大于第一氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度。

7.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于：還包括分別與源極及漏極電連接的源極電極及漏極電極，所述源極電極及漏極電極分別與第二氧化物半導(dǎo)體層電性連接。

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述活性層由多種互不相同材料的氧化物半導(dǎo)體層堆疊而成。

9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：所述溝道層上設(shè)有蝕刻阻擋層，所述源極電極和漏極電極覆蓋在蝕刻阻擋層的部分表面上。