[發(fā)明專利]BCD器件的高溫推阱工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210025106.8
• 申請日: 2012-02-06
• 公開（公告）號: CN102543694A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊俊鋮;閔亞能;陳秀偉;許亮;張國棟;高玉岐;邵永華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體來說，本發(fā)明涉及一種BCD器件的高溫推阱工藝。

背景技術(shù)

BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極型晶體管管(Bipolar)、CMOS和DMOS器件。其綜合了雙極器件的高跨導(dǎo)、強負(fù)載驅(qū)動能力和CMOS器件高集成度、低功耗的優(yōu)點，以及集成了DMOS功率器件。但目前這種工藝中推阱工序要求較高，工序時間長，工藝溫度高。

現(xiàn)有的高溫推阱工藝程序包括升溫階段、推進階段、降溫階段共三個階段。其中，推阱階段的工藝溫度一般在1100℃左右，整個工藝時間一般需要14小時左右，這對于規(guī)?；笊a(chǎn)來說耗費的時間實在太長。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種BCD器件的高溫推阱工藝，能夠顯著縮短工藝時間，大大提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種BCD器件的高溫推阱工藝，所述高溫推阱工藝包括升溫階段、推進階段和降溫階段，包括步驟：

A.升高推阱工藝的溫度，減少退火時間；

B.計算整個所述高溫推阱工藝的程序時間；

C.對所述高溫推阱工藝進行試驗片驗證；

D.檢測所述試驗片，判斷BCD器件的產(chǎn)品參數(shù)是否符合工藝要求，如果不符合，則調(diào)整工藝參數(shù)后重新返回步驟C；

E.對所述BCD器件進行產(chǎn)品分組試驗；

F.獲取所述分組試驗結(jié)果，判斷所述產(chǎn)品參數(shù)和良率是否符合工藝要求，如果不符合，則調(diào)整工藝參數(shù)后重新返回步驟E；

G.按照所述高溫推阱工藝對所述BCD器件投入批量生產(chǎn)。

可選地，所述推阱工藝的溫度范圍為1100℃至1180℃。

可選地，整個所述高溫推阱工藝的程序時間范圍為100分鐘至840分鐘。

可選地，所述推阱工藝的溫度為1150℃。

可選地，整個所述高溫推阱工藝的程序時間為2小時35分鐘。

可選地，所述產(chǎn)品參數(shù)包括所述BCD器件的結(jié)深、表面濃度、器件閾值電壓和/或阱的電阻。

可選地，計算整個所述高溫推阱工藝的程序時間是采用計算機模擬方式完成的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明通過優(yōu)化推阱工藝的溫度和退火時間，經(jīng)過試驗片驗證和產(chǎn)品分組試驗獲取推阱工藝的最佳溫度以及由其花費的工藝時間，通過上述過程能夠顯著縮短工藝時間，大大提高了大規(guī)模生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

附圖說明

本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢將通過下面結(jié)合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中：

圖1為本發(fā)明一個實施例的BCD器件的高溫推阱工藝的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明一個實施例的BCD器件的高溫推阱工藝與現(xiàn)有工藝驗證最佳實驗配比的實驗結(jié)果對比示意圖；

圖3為本發(fā)明一個實施例的BCD器件的高溫推阱工藝與現(xiàn)有工藝的良率結(jié)果對比示意圖；

圖4為本發(fā)明一個實施例的BCD器件的高溫推阱工藝與現(xiàn)有工藝的工藝時間對比示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明利用計算機模擬、試驗設(shè)計等工具對高溫推阱工藝的關(guān)鍵參數(shù)進行分析并篩選出試驗條件，然后在設(shè)備上進行試驗。通過對試驗數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析確立了理想的工藝條件，并按此理想的工藝條件進一步對產(chǎn)品進行驗證。結(jié)果表明，不僅產(chǎn)品完全符合要求，而且工藝時間縮短了90％左右，大大提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實際應(yīng)用情況作類似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護范圍。

圖1為本發(fā)明一個實施例的BCD器件的高溫推阱工藝的流程示意圖。本實施例中的高溫推阱工藝包括升溫階段、推進階段和降溫階段。

如圖1所示，該BCD器件的高溫推阱工藝可以包括：

執(zhí)行步驟S201，將推阱工藝的溫度范圍升高到1100℃至1180℃，優(yōu)選為1150℃，并減少退火時間。

執(zhí)行步驟S202，采用例如計算機模擬的方式計算整個高溫推阱工藝的程序時間，該程序時間范圍可以為100分鐘至840分鐘；當(dāng)推阱工藝的溫度1150℃時，該程序時間可以優(yōu)選為2小時35分鐘。

執(zhí)行步驟S203，對高溫推阱工藝進行試驗片驗證。