[發明專利]半導體激光器件

無效

• 申請號: 201210025101.5
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN102629733A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 方瑞雨;蓋德·艾伯特·羅格若;朱莉安娜·莫若羅;羅伯拓·帕沃勒特;邁克勒·埃戈斯特
• 申請（專利權）人: 安華高科技光纖IP(新加坡)私人有限公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/18;H01S5/028
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種面發射半導體激光器件，包括：

襯底，其具有上表面及下表面；

多個半導體層，其至少包括最下層以及最上層，其中，所述最下層被布置在所述襯底的所述上表面上，所述多個半導體層具有形成在其中的邊發射激光器，用于在所述激光器被激發時產生具有激射波長的激光，所述激光器具有第一端面及第二端面，其中，當所述激光器被激發時，具有所述激射波長的所述激光通過所述第二端面離開所述激光器；

形成在所述多個半導體層中一個或多個層中的溝道；

設置在所述溝道中的聚合物材料，所述聚合物材料至少包括下表面及斜側面，所述聚合物材料的所述下表面與所述溝道接觸，所述斜側面大致面對所述邊發射激光器的所述第二端面；以及

布置在所述聚合物材料的所述斜側面上的反射器，其中，離開所述邊發射激光器的所述第二端面的所述激光的至少一部分入射在所述反射器上，并且沿與所述襯底的所述上表面大致垂直的方向被所述反射器反射。

2.根據權利要求1所述的面發射半導體激光器件，其中，所述反射器包括布置在所述聚合物材料的所述斜側面上的金屬層。

3.根據權利要求2所述的面發射半導體激光器件，其中，所述邊發射激光器是法布里-珀羅(F-P)激光器，并且其中，所述金屬層是高反射率(HR)涂層的一部分，其涂布所述邊發射激光器的所述第一端面及所述第二端面，以及所述聚合物材料的所述斜側面。

4.根據權利要求2所述的面發射半導體激光器件，其中，所述邊發射激光器是分布反饋型(DFB)激光器，并且其中，所述邊發射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜側面被防反射(AR)涂層涂布，并且其中，所述反射器被布置在所述AR涂層上。

5.根據權利要求2所述的面發射半導體激光器件，其中，所述邊發射激光器是法布里-珀羅(F-P)激光器，并且其中，所述邊發射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜側面被高反射率(HR)涂層涂布，并且其中，包括所述反射器的所述金屬層被布置在所述HR涂層上。

6.根據權利要求1所述的面發射半導體激光器件，其中，所述聚合物材料的所述斜側面為大致平坦表面，其相對于所述襯底的所述上表面成一定角度。

7.根據權利要求6所述的面發射半導體激光器件，其中，所述角度大致為45度。

8.根據權利要求7所述的面發射半導體激光器件，其中，離開所述第二端面的激光沿所述邊發射激光器的波導傳播，所述波導具有光軸，所述光軸相對于所述斜側面的所述大致平坦表面成大致45度的角度。

9.根據權利要求8所述的面發射半導體激光器件，其中，所述邊發射激光器的所述波導的所述光軸與所述襯底的所述上表面大致平行。

10.一種制造面發射半導體激光器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在襯底上，沉積或生長至少包括最下層及最上層的多個半導體層，其中，所述最下層被布置在所述襯底的上表面上；

在所述多個半導體層中一個或更多層中，形成用于產生具有激射波長的激光的邊發射激光器，所述激光器具有第一端面及第二端面，其中，如果所述激光器被激發，則由所述激光器產生的所述激光通過所述第二端面；

在所述多個半導體層中形成溝道；

在所述溝道中設置聚合物材料，所述聚合物材料至少包括下表面及斜側面，所述斜側面大致面對所述邊發射激光器的所述第二端面；并且

在所述聚合物材料的所述斜側面上形成反射器。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述反射器包括金屬層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述邊發射激光器是法布里-珀羅(F-P)激光器，所述方法還包括以下步驟：

在形成所述反射器之前，利用高反射率(HR)涂層來涂布所述邊發射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜側面，并且其中，將所述反射器布置在所述HR涂層上。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述邊發射激光器是分布反饋型(DFB)激光器，所述方法還包括以下步驟：

在形成所述反射器之前，利用防反射(AR)涂層來涂布所述邊發射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜側面，并且其中，將所述反射器布置在所述AR涂層上。