[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取設備和用于制造固態(tài)圖像拾取設備的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210024736.3
• 申請日: 2012-02-06
• 公開（公告）號: CN102637703A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 澤山忠志;豬鹿倉博志;近藤隆治;江藤徹
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李穎

1.一種用于制造固態(tài)圖像拾取設備的方法，所述固態(tài)圖像拾取設備包括：

包含光電轉(zhuǎn)換部的基板，和

被布置于基板上的波導，所述波導與所述光電轉(zhuǎn)換部對應并且包含芯部和覆層，所述方法包括：

第一步驟和第二步驟，

其中，在第一步驟和第二步驟中，通過高密度等離子體增強化學氣相沉積在所述覆層中的開口中形成要被形成為所述芯部的部件，并且，

其中，在第一步驟之后，在第二步驟中，在基板的背面?zhèn)鹊纳漕l功率與基板的正面?zhèn)鹊纳漕l功率的比率高于第一步驟中的該比率的條件下，通過高密度等離子體增強化學氣相沉積，形成所述要被形成為芯部的部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其中，所述要被形成為芯部的部件包含硅氮化物，并且，

在第一步驟和第二步驟中，饋送含有含硅氣體、氮、含氮氣體、以及惰性氣體的混合氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在第一步驟中形成的所述部件具有10nm～50nm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

在開口中形成所述要被形成為芯部的部件的第三步驟，

其中，在高密度等離子體增強化學氣相沉積中基板的背面?zhèn)鹊纳漕l功率與基板的正面?zhèn)鹊纳漕l功率的比率被設為介于第一步驟中的該比率的值和第二步驟中的該比率的值之間的值的條件下，在第一步驟和第二步驟之間執(zhí)行第三步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

在第二步驟之后，執(zhí)行部分去除所述要被形成為芯部的部件的蝕刻步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其中，在第二步驟中形成的所述部件包含含有Si-H鍵和N-H鍵的硅氮化物，并且，

其中，所述硅氮化物的N-H鍵與Si-H鍵的比率，即，N-H鍵/Si-H鍵為1.0～10。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在第二步驟中，沿與基板的主面垂直的方向從開口的底面的沉積速率為沿與基板的主面平行的方向從開口的側(cè)面的沉積速率的1.5～10倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其中，開口具有寬度為L1的底面、寬度為L2的上部面、以及相對于基板的主面的傾角為α的側(cè)面，上部面到底面的高度為H，并且，

其中，開口滿足L1＜L2、H/L2≤2且72.8°＜α＜90°。

9.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，

其中，在第二步驟中，所述惰性氣體至少含有氦，并且，

其中，用于形成所述要被形成為芯部的部件的裝置的腔中的壓力處于3mTorr～10mTorr的范圍中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，

其中，通過平行板等離子體增強化學氣相沉積執(zhí)行第一步驟，并且，

其中，通過高密度等離子體增強化學氣相沉積執(zhí)行第二步驟。

11.一種固態(tài)圖像拾取設備，包括：

包含光電轉(zhuǎn)換部的基板，和

被布置于基板上的波導，所述波導與所述光電轉(zhuǎn)換部對應并且包含芯部和覆層，

其中，所述芯部包含含有Si-H鍵和N-H鍵的硅氮化物，并且，

其中，所述硅氮化物的N-H鍵與Si-H鍵的比率，即，N-H鍵/Si-H鍵為1.0～10。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的固態(tài)圖像拾取設備，其中，所述芯部的硅氮化物延伸到所述覆層的上部部分。

13.一種用于制造固態(tài)圖像拾取設備的方法，所述固態(tài)圖像拾取設備包含：

包含光電轉(zhuǎn)換部的基板，和

被布置于基板上的波導，所述波導與所述光電轉(zhuǎn)換部對應并且包含芯部和覆層，所述方法包括：

通過高密度等離子體增強化學氣相沉積用所述芯部填充所述覆層中的開口的步驟，

其中，在高密度等離子體增強化學氣相沉積中，沿與基板的主面垂直的方向從開口的底面的沉積速率為沿與基板的主面平行的方向從開口的側(cè)面的沉積速率的1.5～10倍。