[發明專利]形成噴墨印刷頭的方法有效
| 申請號: | 201210024667.6 | 申請日: | 2012-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN102602151A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 布賴恩·R·多蘭;約翰·R·安德魯斯;布拉德利·J·格爾納;馬克·A·塞呂拉 | 申請(專利權)人: | 施樂公司 |
| 主分類號: | B41J2/16 | 分類號: | B41J2/16 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國康*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 噴墨 印刷 方法 | ||
1.形成噴墨印刷頭的方法,包括:
將膜黏附材料附著在膜上,其中所述膜包括多個開口;
將多個壓電元件黏附到所述膜上;
分布介電填充材料,以包裹所述多個壓電元件并接觸所述膜,其中所述膜黏附材料阻止所述介電填充材料流過所述膜上的所述多個開口;
固化所述介電填充材料,以在所述多個壓電元件之間以及所述多個壓電元件的上表面上方形成中間層;以及
采用等離子體蝕刻從所述多個壓電元件的所述上表面去除所述中間層。
2.如權利要求1所述的方法,進一步包括:
黏附覆蓋所述膜上的所述多個開口的所述膜黏附材料;以及
在固化所述介電填充材料之后,去除覆蓋在所述膜上的所述多個開口上的所述膜黏附材料。
3.如權利要求2所述的方法,其中使用激光切割技術去除覆蓋在所述膜上的所述多個開口上的所述膜黏附材料。
4.如權利要求3所述的方法,進一步包括在去除覆蓋在所述膜上的所述多個開口上的所述膜黏附材料過程中,去除壓電元件之間的所述中間層的一部分。
5.形成噴墨印刷頭的方法,包括:
將膜黏附材料附著在膜上,其中所述膜包括多個穿透的開口;
將多個壓電元件黏附到所述膜上;
分布介電填充材料,以包裹所述多個壓電元件并接觸所述膜,其中所述膜黏附材料阻止所述介電填充材料流過所述膜上的所述多個開口;
固化所述介電填充材料,以在所述多個壓電元件之間以及所述多個壓電元件的上表面上方形成中間層;
將帶圖案的粘性層和帶圖案的可去除襯墊放在所述中間層上方,其中所述帶圖案的粘性層和所述帶圖案的可去除襯墊中的開口在所述壓電元件上方的位置暴露所述中間層;以及
以所述帶圖案的可去除襯墊和所述帶圖案的粘性層為蝕刻掩模,采用等離子體蝕刻從所述多個壓電元件的所述上表面上去除所述中間層。
6.如權利要求5所述的方法,進一步包括:
在所述帶圖案的粘性層和所述帶圖案的可去除襯墊的所述開口內放入導體;
在所述開口內放入所述導體后,去除所述可去除襯墊;以及
使用所述導體將所述多個壓電元件與多個印刷電路板(PCB)電極電耦合。
7.如權利要求5所述的方法,進一步包括:
采用激光切割從所述膜的開口中清除所述膜黏附材料、所述中間層和所述帶圖案的粘性層。
8.形成噴墨印刷頭的方法,包括:
將壓電元件層黏附到輸送載體上;
切割所述壓電元件層形成多個壓電元件;
將所述多個壓電元件黏附到噴射管子組件的膜上,其中所述噴射管子組件進一步包括入口/出口板、本體板、所述膜上的多個開口以及覆蓋所述膜上的所述多個開口的膜黏附材料;
分布介電填充材料,以包裹所述多個壓電元件并接觸所述膜,其中所述膜黏附材料阻止所述介電填充材料流過所述膜上的所述多個開口;
固化所述介電填充材料,以在所述多個壓電元件之間以及所述多個壓電元件的上表面上方形成中間層;
將帶圖案的粘性層和帶圖案的可去除襯墊放在所述中間層上方,其中所述帶圖案的粘性層和所述帶圖案的可去除襯墊中的開口在所述壓電元件上方的位置暴露所述中間層;
以所述帶圖案的可去除襯墊和所述帶圖案的粘性層為蝕刻掩模,采用等離子體蝕刻從所述多個壓電元件的所述上表面上去除所述中間層,其中所述等離子體蝕刻包括在蝕刻室中以足以提供約100mTorr到約200mTorr之間的平衡室壓強的流量引入氧氣,并以約800W到約1000W之間的射頻功率點燃等離子體;
在所述帶圖案的可去除襯墊和所述帶圖案的粘性層中的所述開口內放置導電粘結劑;
去除所述帶圖案的襯墊;
使用激光束從所屬膜的所述多個開口上切割所述膜黏附材料、所述中間層和所述帶圖案的粘性層,其中所述本體板和所述入口/出口板作為掩模阻擋所述激光束;
將印刷電路板(PCB)機械連接到帶有所述帶圖案粘性層的所述中間層上,其中所述導電粘結劑將PCB電極與所述壓電元件電耦合;以及
將分管連接到所述PCB上。
9.形成組件的方法,包括:
將壓電結構包裹在環氧化物中;以及
等離子體蝕刻至少部分環氧化物,從而暴露所述壓電結構。
10.如權利要求9所述的方法,其中所述等離子體蝕刻包括:
以足以提供約100mTorr到約200mTorr之間的平衡室壓強的流量向蝕刻室中引入氧氣;以及
以約800W到約1000W之間的射頻功率點燃等離子體。
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