[發(fā)明專利]硅片轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移托環(huán)、半導(dǎo)體工藝反應(yīng)設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210024579.6
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN102569142B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡輝;包中誠;吳明龍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/683;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：

圓形基座，所述圓形基座包括第一基盤和第二基盤，所述第一基盤比第二基盤小，且以圓心重合的方式重疊于第二基盤上，所述第一基盤的邊緣處設(shè)置有向外開口的卡槽；

轉(zhuǎn)移托環(huán)，所述轉(zhuǎn)移托環(huán)包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)，及自環(huán)狀結(jié)構(gòu)向內(nèi)延伸、并與所述卡槽相對應(yīng)的至少兩個支撐柱；

轉(zhuǎn)移臂，所述轉(zhuǎn)移臂與所述轉(zhuǎn)移托環(huán)連接；

其中，所述轉(zhuǎn)移托環(huán)的材質(zhì)為耐高溫石英、超強(qiáng)C-C復(fù)合材料中的一種，或者為陶瓷，所述陶瓷表面覆蓋有鈦、鎳合金中的任一種材料。

2.如權(quán)利要求1所述的硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：

所述轉(zhuǎn)移托環(huán)的直徑大于所述第一基盤小于所述第二基盤；

所述支撐柱的高度小于所述卡槽的深度。

3.如權(quán)利要求2所述的硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：

所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為三分之二的圓環(huán)結(jié)構(gòu)，其上等距設(shè)置有三個所述支撐柱，其中兩個支撐柱位于環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端；

所述第一基盤的邊緣處等距設(shè)置有三個所述卡槽；

所述轉(zhuǎn)移臂連接在相鄰兩個支撐柱之間。

4.如權(quán)利要求2到3中任一項所述的硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述支撐柱的上表面設(shè)置有凸起，所述凸起的高度超出所述卡槽的深度。

5.如權(quán)利要求1所述的硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移臂位于所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)外，所述圓形基座還包括位于第二基盤下方的底座基盤，所述底座基盤的邊緣處設(shè)置有與所述轉(zhuǎn)移臂對應(yīng)的缺口。

6.一種半導(dǎo)體工藝反應(yīng)設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5中任一項所述的硅片轉(zhuǎn)移裝置。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝反應(yīng)設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)設(shè)備為Al金屬刻蝕設(shè)備，包括刻蝕腔室與去膠腔室，所述硅片轉(zhuǎn)移裝置設(shè)置在所述去膠腔室。