[發(fā)明專利]電子元件封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210023735.7
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN102769004A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚瑞敏;戴明吉;劉漢誠
• 申請（專利權(quán)）人: 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L29/41
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電子元件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體元件，包括：

半導(dǎo)體基極具有第一表面與第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對；

集極位于所述半導(dǎo)體基極的所述第二表面上；

第一導(dǎo)電型基體區(qū)位于所述半導(dǎo)體基極的所述第一表面中；

第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)位于所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)中；

柵極位于所述半導(dǎo)體基極的所述第一表面上，覆蓋部分所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)與部分所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)，且所述柵極以第一介電層與所述半導(dǎo)體基極的所述第一表面、所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)與所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)相隔絕；

第二介電層覆蓋所述柵極，所述第二介電層中具有一開口，且所述開口貫穿所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)，而延伸至所述開口的底部以裸露出所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)；以及

射極位于所述半導(dǎo)體基極的所述第二介電層上，并且填充于所述開口中，電連接所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)與所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)；

第一保護(hù)層，位于所述柵極周圍的所述半導(dǎo)體基極的所述第一表面上，且與所述第一介電層連接；

第一導(dǎo)體焊墊位于所述第一保護(hù)層上；

第二導(dǎo)體焊墊位于所述半導(dǎo)體基極的所述第二表面上方的所述集極上；以及

至少一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，貫穿所述第一保護(hù)層、所述半導(dǎo)體基極的所述第一表面、所述第二表面以及所述集極，且電連接所述第一導(dǎo)體焊墊與所述第二導(dǎo)體焊墊，所述導(dǎo)通結(jié)構(gòu)包括：

導(dǎo)體柱位于所述半導(dǎo)體基極之中；以及

第二保護(hù)層位于所述導(dǎo)體柱與所述半導(dǎo)體基極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括：

第一凸塊，與所述第一導(dǎo)體焊墊電連接；以及

第二凸塊，與所述射極電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo)體焊墊包括凸塊下金屬層。

4.如權(quán)利要求3所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo)體焊墊的材料包括鎳或金，或其合金。

5.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二導(dǎo)體焊墊的材料包括金屬或是金屬合金。

6.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)體焊墊的材料包括銅或是鋁，或其合金。

7.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，特征在于還包括：

第一導(dǎo)體焊線，與所述第一導(dǎo)體焊墊電連接；以及

第二導(dǎo)體焊線，與所述射極電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)體柱的材料包括金屬或是金屬合金。

9.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)體柱的材料包括銅、鎢或鋁，或其合金。

10.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一保護(hù)層的材料包括二氧化硅、氮化硅或氮化鋁。

11.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二保護(hù)層的材料包括二氧化硅、氮化硅或氮化鋁。

12.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)包括P型基體區(qū)且所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)包括N型摻雜區(qū)，或所述第一導(dǎo)電型基體區(qū)包括N型基體區(qū)且所述第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)包括P型摻雜區(qū)。