[發(fā)明專利]具有掩埋位線的半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210023208.6 | 申請日： | 2012-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN102867828B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李相道;李海朾;高京甫 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,許偉群 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 掩埋 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
有源本體，所述有源本體具有在橫向上彼此面對的兩個側(cè)壁；
結(jié)，所述結(jié)形成在所述兩個側(cè)壁中的一個側(cè)壁中；
電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有暴露出所述結(jié)的開放部分并且覆蓋所述有源本體；
結(jié)延伸部分，所述結(jié)延伸部分具有填充所述開放部分的掩埋區(qū)；以及
位線，所述位線與所述結(jié)延伸部分耦接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括雜質(zhì)摻雜的多晶硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)和所述結(jié)延伸部分摻雜有雜質(zhì)，所述雜質(zhì)具有相同導(dǎo)電類型。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述位線包括金屬層或金屬氮化物層。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括多晶硅層，所述位線包括氮化鈦層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：
有源柱，所述有源柱形成在所述有源本體之上；
字線，所述字線形成在所述有源柱的側(cè)壁上并沿著與所述位線交叉的方向延伸；以及
電容器，所述電容器與所述有源柱的上部耦接。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括：
多個有源本體，所述多個有源本體由多個溝槽隔離并且具有兩個側(cè)壁；
多個結(jié)，所述多個結(jié)形成在各個有源本體的側(cè)壁中的一個側(cè)壁上；
電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有暴露出各個結(jié)的多個開放部分并且覆蓋所述有源本體的兩個側(cè)壁；
多個掩埋位線，所述多個掩埋位線形成在所述電介質(zhì)層之上并且部分地填充各個溝槽；以及
多個結(jié)延伸部分，所述多個結(jié)延伸部分填充各個開放部分并且形成在所述掩埋位線與所述結(jié)之間。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分被形成在所述掩埋位線與所述電介質(zhì)層之間。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括硅層。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括雜質(zhì)摻雜的多晶硅層。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述掩埋位線包括金屬層或金屬氮化物。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括多晶硅層，所述掩埋位線包括氮化鈦層。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括：
多個有源本體，所述多個有源本體由多個第一溝槽來隔離并且具有兩個側(cè)壁；
多個結(jié)，所述多個結(jié)形成在各個有源本體的側(cè)壁中的一個側(cè)壁中；
電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有暴露出各個結(jié)的多個開放部分并且覆蓋所述有源本體的兩個側(cè)壁；
多個掩埋位線，所述多個掩埋位線形成在所述電介質(zhì)層之上并且部分地填充各個溝槽；
多個結(jié)延伸部分，所述多個結(jié)延伸部分形成在所述掩埋位線與所述結(jié)之間并且填充各個開放部分；
多個有源柱，所述多個有源柱形成在各個有源本體之上并且由與所述第一構(gòu)槽交叉的方向上的多個第二溝槽來隔離；
多個垂直字線，所述多個垂直字線形成在所述有源柱的側(cè)壁上并且沿著與所述掩埋位線交叉的方向延伸；以及
多個電容器，所述多個電容器與各個有源柱的上部耦接。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括硅層。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括雜質(zhì)摻雜的多晶硅層。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述掩埋位線包括金屬層或金屬氮化物。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述結(jié)延伸部分包括多晶硅層，所述掩埋位線包括氮化鈦層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
