[發(fā)明專利]發(fā)光器件及發(fā)光器件封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210023098.3
• 申請日: 2012-02-02
• 公開（公告）號: CN102842665B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金省均;秋圣鎬;朱炫承;徐在元
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;F21K9/20
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種發(fā)光器件，包括：

包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層、以及在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；

在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一電極；

在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的透明電極；以及

在所述透明電極上的第二電極，

其中所述第一電極包括：在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的從所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層暴露出的第一區(qū)域上的第一電極墊、以及從所述第一電極墊延伸至其中暴露出所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二區(qū)域的第一電極指狀部，以及

其中所述透明電極與所述第一電極指狀部之間的間隙從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域逐漸變窄。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一電極指狀部之間的間隙從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域逐漸變窄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一電極指狀部之間的間隙從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域恒定地設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述有源層與所述第一電極指狀部之間的間隙從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域恒定地設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括：在第三區(qū)域中的第二電極墊以及從所述第二電極墊延伸至第四區(qū)域的第二電極指狀部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中從所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層暴露出的所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成有凹凸圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述凹凸圖案設(shè)置在所述第一電極指狀部的附近。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、AZO(鋁鋅氧化物)、AGZO(鋁鎵鋅氧化物)、IZTO(銦鋅錫氧化物)、IAZO(銦鋁鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IGTO(銦鎵錫氧化物)、ATO(銻錫氧化物)、GZO(鎵鋅氧化物)、IZON(銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO和Ni/Au中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中在所述透明電極與所述第一電極指狀部之間插入有通過所述透明電極暴露出的所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極指狀部從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域具有恒定的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述透明電極從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域具有倒置的V形。

12.一種發(fā)光器件封裝件，包括：

本體；

設(shè)置在所述本體上的根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的發(fā)光器件；以及

電連接至所述發(fā)光器件的第一引線電極和第二引線電極。

13.一種照明裝置，包括：

板；

設(shè)置在所述板上的根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的發(fā)光器件；以及

光學(xué)構(gòu)件，從所述發(fā)光器件提供的光穿過所述光學(xué)構(gòu)件。