[發(fā)明專利]用于同時雙面去除材料式加工半導(dǎo)體晶片的嵌件托架和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210023094.5
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN102610510A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·皮奇;M·克斯坦
• 申請（專利權(quán)）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/04;B24B37/34
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.適合于接收一個或多個半導(dǎo)體晶片以在磨削裝置、研磨裝置或拋光裝置的兩個工作盤之間對其進(jìn)行雙面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料組成的芯部，其中第一表面和第二表面各自帶有完全或部分地覆蓋第一表面和第二表面的由第二材料組成的涂層，以及至少一個用于接收半導(dǎo)體晶片的開口，其中涂層的背離芯部的表面具有由凸起和凹坑構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)的凸起和凹坑的相關(guān)長度在0.5mm至25mm的范圍內(nèi)，并且所述結(jié)構(gòu)的縱橫比在0.0004至0.4的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的嵌件托架，其特征在于，所述第一材料是金屬，所述第二材料是塑料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的嵌件托架，其特征在于，所述涂層均以一個連續(xù)的層的形式完全或部分地覆蓋所述芯部的第一表面和第二表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的嵌件托架，其特征在于，所述凸起占涂層總面積的面積比例在5％與80％之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的嵌件托架，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)的凸起和凹坑的相關(guān)長度在1mm至10mm的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的嵌件托架，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)的縱橫比在0.004至0.1的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的嵌件托架，其特征在于連續(xù)地從芯部的第一表面穿過芯部中的至少一個開口延伸直至芯部的第二表面的第三材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的嵌件托架，其特征在于，所述第三材料從芯部的第一表面穿過所有用于接收半導(dǎo)體晶片的開口延伸直至芯部的第二表面，并且完全包襯開口的壁表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的嵌件托架，其特征在于，所述第三材料與所述第二材料相同，并且與其形成連續(xù)的層。

10.用于在磨削裝置、研磨裝置或拋光裝置的兩個旋轉(zhuǎn)的工作盤之間同時雙面去除材料式加工至少一個半導(dǎo)體晶片的方法，其中半導(dǎo)體晶片以自由移動的方式位于嵌件托架的開口中，并由此在工作盤之間形成的工作間隙中在壓力下移動，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利要求1的嵌件托架，涂層的凸起與工作盤之一接觸，芯部以及涂層的凹坑不與工作盤接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中每個工作盤包括含有粘結(jié)的磨料的工作層，并且將不含磨料的冷卻潤滑劑引入工作間隙。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，其中工作盤為圓形，并且使用一個嵌件托架，該嵌件托架覆蓋整個工作盤并且由設(shè)置在工作盤的圓周上的、偏心旋轉(zhuǎn)的引導(dǎo)滾筒驅(qū)動以執(zhí)行軌道運(yùn)動，從而在每個半導(dǎo)體晶片下方總是分別存在一個位置固定的區(qū)域，該區(qū)域在任何時刻均被半導(dǎo)體晶片完全覆蓋。

13.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，其中工作盤為環(huán)形，并且使用至少三個嵌件托架，嵌件托架各自具有至少一個用于接收半導(dǎo)體晶片的開口，嵌件托架各自具有外嚙合，從而利用包括相對于工作盤的旋轉(zhuǎn)軸同心設(shè)置的內(nèi)針輪和外針輪以及嚙合的滾動裝置使嵌件托架在固有旋轉(zhuǎn)的情況下圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。