[發(fā)明專利]形成PCRAM自對準(zhǔn)位線方法及自對準(zhǔn)深刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210022861.0
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN102629662A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬修·J·布雷杜斯克;陳介方;陳士弘;艾瑞克·A·約瑟;林仲漢;麥可·F·羅弗洛;龍翔瀾;亞歷桑德羅·G·史克魯特;楊敏
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司;國際商用機(jī)器公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種形成一裝置的方法，包含：

于一下電極的一部分上形成一犧牲材料的一基座；

形成相鄰于該犧牲材料的至少一介電材料，該至少一介電材料具有與該犧牲材料的該基座的上表面共面的一上表面；

對該至少一介電材料以及該下電極具選擇性地移除該犧牲材料的該基座以對該下電極的一露出表面提供一開口；

于該下電極的該露出表面上沉積一相變材料；以及

以一導(dǎo)電填充材料填充該開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該下電極是由氮化硅組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該犧牲材料的該基座包含：在該下電極上沉積由非晶硅組成的該犧牲材料，以及刻蝕該犧牲材料的一部分形成該犧牲材料的該基座，其中該犧牲材料的剩余部分出現(xiàn)于該下電極的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中相鄰于該犧牲材料的該基座的該至少一介電材料的形成包含：

于該犧牲材料的該基座上形成一共形層；

于該共形層上形成一層間介電層；以及

平坦化以移除該層間介電層以及覆蓋該犧牲材料的該基座的共形層的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中于該犧牲材料的該基座上的共形層的形成包含：沉積由一氮化物組成的該共形層于該基座的該上表面、該基座的側(cè)壁以及相鄰于該基座的該下電極的露出部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在該共形層上的該層間介電層的形成包含沉積一氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該犧牲材料的該基座的移除包含一選擇性刻蝕，其對該下電極以及該至少一介電材料具選擇性地移除該犧牲材料的該基座。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中于該下電極的該露出表面上的該相變材料的沉積包含：經(jīng)由物理氣相沉積而沉積的一含鉭材料，其中該相變材料亦形成于該至少一介電材料的上表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中以該導(dǎo)電填充材料填充該開口包含：

沉積一旋涂玻璃或一光刻膠材料以填充該開口；

平坦化以移除出現(xiàn)于該至少一介電材料的該上表面的該相變材料；

移除填充該開口的該犧牲填充材料；

將一勢壘層沉積于該開口內(nèi)；

將該導(dǎo)電填充材料沉積于至少該開口內(nèi)；以及

將該導(dǎo)電填充材料平坦化，其中該導(dǎo)電填充材料的該上表面與該至少一介電材料的該上表面共面。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包含：在以該導(dǎo)電填充材料填充該開口之后對該共形介電層具選擇性地移除該層間介電層以提供氣隙，以及沉積密封介于相鄰導(dǎo)電填充材料部分的該氣隙的一橋接介電材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該裝置為一相變存儲元件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該導(dǎo)電填充材料提供對準(zhǔn)該相變材料的一位線。

13.一種形成一裝置的方法，其包含：

提供穿過一材料疊層至一下電極的一開口；

將一相變材料沉積于該下電極的一露出表面上；

于出現(xiàn)于該開口內(nèi)的該相變材料上形成一上電極，其中提供該上電極的導(dǎo)電材料亦形成以覆蓋于該材料疊層的一上表面；

以一刻蝕停止材料填充該開口；

刻蝕出現(xiàn)于該材料疊層的上表面上的該導(dǎo)電材料，其中出現(xiàn)于該開口內(nèi)的上電極由該刻蝕停止材料所保護(hù)；

以對該上電極以及該材料疊層具選擇性地的一刻蝕移除該刻蝕停止材料；以及

形成與該上電極電性溝通的一通孔。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該材料疊層包含覆蓋一層間介電層的一平坦化停止層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中該相變材料的至少部分被沉積于該平坦化停止層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包含：平坦化以移除出現(xiàn)于該材料疊層的該上表面的該相變材料的部分而停止于該平坦化停止層。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中與該上電極電性溝通的該通孔的形成包含沉積填充至少該開口的一介電填充物；刻蝕該介電填充物以露出該上電極，以及形成直接與該上電極接觸的一導(dǎo)電材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中該裝置為一相變存儲元件。