[發明專利]半導體器件的制造方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201210022826.9
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN102623392A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 米谷統多;江畑雄太郎
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

包括以下工序(a)至工序(f)：

工序(a)，即在基板的上方形成由導電性膜構成的第一布線的工序；

工序(b)，即在所述第一布線上形成第一絕緣膜的工序，其中，所述第一絕緣膜中露出所述第一布線的第一區域；

工序(c)，即形成從所述第一布線的所述第一區域延伸到所述第一絕緣膜上的第二布線的工序，并且該工序通過工序(c1)至工序(c4)形成由第一銅膜、第二銅膜及鎳膜構成的所述第二布線，其中，工序(c1)，即在所述第一區域及所述第一絕緣膜上形成以銅為主成分的所述第一銅膜的工序；工序(c2)，即在所述第一銅膜上形成在所述第二布線的形成區域開口的第一掩膜的工序；工序(c3)，即在所述第二布線的形成區域的所述第一銅膜上通過電鍍成長形成以銅為主成分的所述第二銅膜的工序；工序(c4)，即在所述第二銅膜上形成以鎳為主成分的所述第一鎳膜的工序；

工序(d)，即在所述第二布線上的焊盤區域形成以金為主成分的金膜的工序；

工序(e)，即在所述工序(d)后除去所述第一掩膜，并對所述第一鎳膜實施鈍化處理，從而在所述第一鎳膜的表面形成鎳鈍化膜的工序，以及

工序(f)，即在所述工序(e)后對所述第一銅膜進行蝕刻的工序。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c)與所述工序(d)之間執行工序(g)，所述工序(g)包括：

工序(g1)，即在所述第一鎳膜和所述第一掩膜上形成第二掩膜的工序，所述第二掩膜在位于所述第二布線上的所述焊盤區域開口；以及

工序(g2)，即在所述焊盤區域通過電鍍成長形成以鎳為主成分的第二鎳膜的工序，

所述工序(d)是指在所述第二鎳膜上形成所述金膜的工序，

所述工序(e)是指在所述工序(d)后除去所述第一掩膜及所述第二掩膜，并對所述第一鎳膜及所述第二鎳膜實施鈍化處理，從而在所述第一鎳膜的表面及所述第二鎳膜的側面形成鎳鈍化膜的工序。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述焊盤區域是包括所述第二布線的端部及其外圍的區域。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(e)的鈍化處理是通過使所述第一鎳膜與含有過氧化氫水的處理液接觸而進行的。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述處理液是含有氨和所述過氧化氫水的處理液。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理液加熱到25℃以上使用。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(e)的鈍化處理是通過在氧化性氣氛中對所述第一鎳膜進行等離子處理而進行的。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(f)的蝕刻是使用含有硫酸和過氧化氫水的溶液或者含有硝酸和過氧化氫水的溶液來進行的。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(c1)是在所述第一區域及所述第一絕緣膜上形成阻擋膜之后，在所述阻擋膜上形成所述第一銅膜的工序。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述阻擋膜具有以鉻為主成分的鉻膜或者以鈦為主成分的鈦膜。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述第一布線是具有以鋁為主成分的鋁膜的布線。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

包括工序(h)，該工序(h)即經由導線將所述焊盤區域的金膜與安裝基板的外部端子進行連接的工序。