[發明專利]具有集成于芯片上的紅外截止與色通干涉濾光片的光傳感器有效
| 申請號: | 201210022801.9 | 申請日: | 2012-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN102623467A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 普拉尚什·赫倫納爾西普爾;王至海;尼科爾·多勒內·謝內斯 | 申請(專利權)人: | 美士美積體產品公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 孟銳 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 集成 芯片 紅外 截止 干涉濾光片 傳感器 | ||
1.一種光傳感器,其包括:
襯底,其具有一表面;
多個光電檢測器,其形成于所述襯底中接近于所述表面,所述多個光電檢測器中的每一者經配置以檢測光并響應于所述光而提供信號;
IR截止干涉濾光片,其安置于所述表面上方且經配置以對紅外光進行過濾以至少大致阻擋紅外光到達所述多個光電檢測器;及
至少一個色彩干涉濾光片,其接近于所述IR截止干涉濾光片而安置,所述至少一個色彩干涉濾光片經配置以對可見光進行過濾以使有限波長光譜中的光通過而到達所述多個光電檢測器中的至少一個光電檢測器。
2.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述多個光電檢測器中的至少一者包括透明光電檢測器,所述透明光電檢測器經配置以接收未由色彩干涉濾光片過濾的光以檢測周圍光環境。
3.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述IR截止干涉濾光片沉積于所述襯底的所述表面上所述多個光電檢測器上方,且所述至少一個色彩干涉濾光片沉積于所述IR截止干涉濾光片上。
4.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述至少一個色彩干涉濾光片沉積于所述襯底的所述表面上,且所述IR截止干涉濾光片沉積于所述襯底的所述表面上所述光電檢測器及所述至少一個色彩干涉濾光片上方。
5.根據權利要求1所述的光傳感器,其中所述光電檢測器包括光電二極管或光電晶體管中的至少一者。
6.根據權利要求1所述的光傳感器,其進一步包括圍繞所述IR截止干涉濾光片的外圍形成的暗鏡,所述暗鏡經配置以至少大致消除未穿過所述IR截止干涉濾光片的光到所述多個光電檢測器上的撞擊。
7.根據權利要求6所述的光傳感器,其進一步包括圍繞所述至少一個色彩干涉濾光片的外圍形成的所述暗鏡,所述暗鏡經配置以至少大致消除未穿過所述IR截止干涉濾光片的光到所述多個光電檢測器上的撞擊。
8.一種光傳感器,其包括:
襯底,其具有一表面;
多個光電檢測器,其形成于所述襯底中接近于所述表面,所述多個光電檢測器經配置以檢測光;
IR截止干涉濾光片,其安置于頂表面上方且經配置以至少大致阻擋紅外光到所述多個光電檢測器的透射;
第一色彩干涉濾光片,其接近于所述IR截止干涉濾光片而安置且經配置以對可見光進行過濾以使第一有限波長光譜中的可見光通過而到達多個光電二極管中的至少第一光電二極管;
第二色彩干涉濾光片,其接近于所述IR截止干涉濾光片而安置且經配置以對可見光進行過濾以使第二有限波長光譜中的可見光通過而到達所述多個光電二極管中的至少第二光電二極管;及
第三色彩干涉濾光片,其接近于所述IR截止干涉濾光片而安置且經配置以對可見光進行過濾以使第三有限波長光譜中的可見光通過而到達所述多個光電二極管中的至少第三光電二極管。
9.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述多個光電檢測器包括至少一個透明光電檢測器,所述透明光電檢測器經配置以檢測未由所述第一色彩干涉濾光片、所述第二色彩干涉濾光片或所述第三色彩干涉濾光片過濾的可視光。
10.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述至少一個透明光電檢測器定位于所述第一色彩干涉濾光片與所述第二色彩干涉濾光片之間或所述第二色彩干涉濾光片與所述第三色彩干涉濾光片之間。
11.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述多個光電檢測器進一步包括經配置以檢測紅外光的紅外光電檢測器。
12.根據權利要求11所述的光傳感器,其中所述IR截止干涉濾光片經圖案化以使得所述IR截止干涉濾光片不對由所述紅外光電檢測器接收的光進行過濾。
13.根據權利要求8所述的光傳感器,其中所述第一有限波長光譜包括從約450nm到約475nm的波長,所述第二有限波長光譜包括從約495nm到約570nm的波長,且所述第三有限波長光譜包括從約620nm到約750nm的波長。
14.根據權利要求7所述的光傳感器,其進一步包括圍繞所述IR截止干涉濾光片的外圍形成的暗鏡,所述暗鏡經配置以至少大致消除未穿過所述IR截止干涉濾光片的光到所述多個光電檢測器上的撞擊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





