[發(fā)明專利]一種高光效白光LED倒裝芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210022508.2 | 申請日： | 2012-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN102544295A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 俞國宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 俞國宏 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 332000 江西省九江*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高光效 白光 led 倒裝 芯片 | ||
1.一種高光效白光LED倒裝芯片，其層結(jié)構(gòu)依次包括襯底（1）、緩沖層（2）、N型層（3）、N型分別限制層（4）、發(fā)光區(qū)層（5）、P型分別限制層（6）、P型層（7）、P型歐姆接觸層（8）、光穿透層（9）、二氧化硅層（10）、金屬層（11），在襯底（1）表面涂敷一層納米熒光粉層（28），其特征在于：該芯片蝕刻成梯臺結(jié)構(gòu)并形成環(huán)狀N型電極和柱形P型電極，柱形P型電極被環(huán)狀N型電極包圍，所述環(huán)狀N型電極和所述柱形P型電極與PCB板連接的焊錫面處于同一水平面高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：N型電極主要包括N型電極光穿透層ITO薄膜（191）和N型電極金屬合金層（23），其中N型電極光穿透層ITO薄膜（191）為階梯結(jié)構(gòu)，階梯結(jié)構(gòu)下部與芯片的N型層（3）暴露區(qū)連接；階梯結(jié)構(gòu)上部與N型電極金屬合金層（23）、金屬層（11）以及絕緣介質(zhì)膜（16）連接，其中N型電極金屬合金層（23）位于階梯結(jié)構(gòu)上部的上方，金屬層（11）和絕緣介質(zhì)膜（16）位于階梯結(jié)構(gòu)上部的下方；P型電極主要包括P型電極金屬合金層（24）和P型電極光穿透層ITO薄膜（192），P型電極光穿透層ITO薄膜（192）上方與P型電極金屬合金層（24）連接，P型電極光穿透層ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透層（9）并且將下方的金屬層（11）和二氧化硅層（10）限制于其中；N型電極金屬合金層（23）與P型電極金屬合金層（24）位于同一水平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：所述絕緣介質(zhì)膜（16）與階梯結(jié)構(gòu)的中間部分和下部相平行，起到隔離N型電極光穿透層ITO薄膜（191）的作用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：在所述襯底（1）中形成一層凹凸面（12）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：所述襯底（1）與所述緩沖層（2）通過凹凸面（12）結(jié)構(gòu)過渡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：所述環(huán)狀N型電極和所述P型電極通過各自的PCB板與散熱結(jié)構(gòu)（26）連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述高光效白光LED倒裝芯片，其特征在于：在所述襯底（1）上通過刻蝕形成多個(gè)附著孔（27），納米熒光粉層（28）通過所述多個(gè)附著孔（27）粘附在所述襯底（1）表面。
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