[發明專利]薄膜晶體管基板及其制備方法無效
| 申請號： | 201210022492.5 | 申請日： | 2012-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN103247605A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 易偉華;楊會良;張芙嘉;劉文高 | 申請（專利權）人： | 江西沃格光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括：
基底；
保護層，層疊于所述基底上，所述保護層的材料為二氧化硅；
導電層，層疊于所述保護層上，所述導電層的材料為氧化銦錫。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述保護層的厚度為15納米～35納米。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述導電層的厚度為12納米～19納米。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化銦錫中In2O3與SnO2的質量比為90∶10。
5.一種薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基底上形成保護層，所述保護層的材料為二氧化硅；
在保護層上形成導電層，所述導電層的材料為氧化銦錫。
6.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚度為15納米～35納米。
7.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，所述導電層的厚度為12納米～19納米。
8.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，所述基底為經過灌液、貼合、減薄處理形成的薄膜晶體管基底。
9.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，所述保護層由真空磁控濺射形成，真空磁控濺射保護層的工藝參數為：基底加熱溫度為60℃～80℃，真空度為2.5×10-1Pa～3.5×～10-1Pa，總氣壓為0.2Pa～0.4Pa，濺射功率為2500W～3500W。
10.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于，所述導電層由真空磁控濺射形成，真空磁控濺射導電層的工藝參數為：基底加熱溫度為60℃～80℃，真空度為2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，總氣壓為0.2Pa～0.4Pa，濺射功率為2500W～3500W。
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