[發(fā)明專利]鄰接溝道側(cè)壁的三維存儲(chǔ)陣列及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210022328.4
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN103247653A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 簡維志;李明修;陳士弘
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種集成電路裝置，包括：

一導(dǎo)線，具有一第一側(cè)面及一第二側(cè)面；

多個(gè)層，該多個(gè)層各由布置于鄰接該導(dǎo)線的該第一側(cè)面與該第二側(cè)面的多個(gè)導(dǎo)電墊所構(gòu)成，該多個(gè)導(dǎo)電墊各具有一鄰近側(cè)面，該多個(gè)鄰近側(cè)面是鄰近于該多個(gè)導(dǎo)電墊對應(yīng)的該第一側(cè)面與該第二側(cè)面的其中一個(gè)；

多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件，位于該多個(gè)鄰近側(cè)面上，并與該多個(gè)導(dǎo)電墊對應(yīng)的該第一側(cè)面與該第二側(cè)面的其中一個(gè)有電性交流；以及

一垂直連接件陣列，由多個(gè)垂直連接件所構(gòu)成，該多個(gè)垂直連接件是分別與該多個(gè)導(dǎo)電墊以及一上方電路有電性交流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中該多個(gè)導(dǎo)電墊中的至少二個(gè)是疊層而使至少一第一導(dǎo)電墊被布置于一第二導(dǎo)電墊之上，且該第一導(dǎo)電墊的一遠(yuǎn)離側(cè)面被布置于較該第二導(dǎo)電墊的一遠(yuǎn)離側(cè)面接近該導(dǎo)線處，該第一導(dǎo)電墊的該遠(yuǎn)離側(cè)面與該第二導(dǎo)電墊的該遠(yuǎn)離側(cè)面是與對應(yīng)的該多個(gè)垂直連接件有電性交流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中該多個(gè)導(dǎo)電墊各包含位于該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件的其中一個(gè)與該多個(gè)垂直連接件的其中一個(gè)之間的一金屬層，該金屬層具有該鄰近側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路裝置，其中該金屬層的一氧化部分是一電阻性金屬氧化物存儲(chǔ)元件，使得該電阻性金屬氧化物存儲(chǔ)元件是沿著該多個(gè)導(dǎo)電墊的該多個(gè)金屬層的鄰近側(cè)面布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其中該多個(gè)導(dǎo)電墊更包含多個(gè)勢壘金屬層，該金屬層被布置于該多個(gè)勢壘金屬層的至少二者之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其中該多個(gè)導(dǎo)電墊更包含多個(gè)場增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件各包含鄰近于所對應(yīng)的一溝道的一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁的其中一個(gè)的一鄰近端，該多個(gè)場增強(qiáng)結(jié)構(gòu)是鄰接該多個(gè)鄰近端。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其中一氧化物成長勢壘層被布置于該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件的至少一者以及該至少一金屬氧化物存儲(chǔ)元件所對應(yīng)的該第一側(cè)面與該第二側(cè)面的其中一個(gè)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路裝置，其中一驅(qū)動(dòng)裝置層被布置于該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件的至少一者以及該至少一金屬氧化物存儲(chǔ)元件所對應(yīng)的該第一側(cè)面與該第二側(cè)面的其中一個(gè)之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中該上方電路包含耦接至該垂直連接件陣列的多條字線。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中該導(dǎo)線為位線。

11.一種制造權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述裝置的方法，包括：

一層形成步驟，是形成多個(gè)由多導(dǎo)電墊所構(gòu)成的層，該多個(gè)導(dǎo)電墊是鄰接于一溝道的一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁，該多個(gè)導(dǎo)電墊并各具有鄰近側(cè)面，該多個(gè)鄰近側(cè)面是鄰近于該多個(gè)導(dǎo)電墊所對應(yīng)的該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁的其中一個(gè)；

一金屬氧化物存儲(chǔ)元件形成步驟，是形成多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件于該多個(gè)鄰近側(cè)面上；

一導(dǎo)線形成步驟，是形成一導(dǎo)線于該溝道內(nèi)，使得該導(dǎo)線與該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件有電性交流；以及

一垂直連接件陣列形成步驟，是形成一垂直連接件陣列，該垂直連接件陣列是與該多個(gè)導(dǎo)電墊各者有電性交流。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該層形成步驟更包括沉積多導(dǎo)電墊層，該多個(gè)導(dǎo)電墊層各包含位于一第一勢壘金屬層與一第二勢壘金屬層間的一第一金屬層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該金屬氧化物存儲(chǔ)元件形成步驟包含氧化該金屬層的一部分，以形成至少一電阻性金屬氧化物存儲(chǔ)元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，更包含：

形成多個(gè)場增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，該多個(gè)場增強(qiáng)結(jié)構(gòu)是鄰接于多個(gè)鄰近端，該多個(gè)鄰近端是該多個(gè)金屬氧化物存儲(chǔ)元件鄰近于所對應(yīng)的該溝道的該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁的其中一個(gè)處。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，更包含：

在該金屬氧化物存儲(chǔ)元件形成步驟前，沿著該溝道的該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁形成一氧化物成長勢壘層。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，更包含：

沿著該溝道的該第一側(cè)壁與該第二側(cè)壁形成一驅(qū)動(dòng)裝置層。