[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210022321.2
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN102956564A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 權在淳
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L23/528
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種用于制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在具有單元區和外圍電路區的襯底之上形成柵層；

在所述單元區中形成與用于選擇線的區域以及相鄰的選擇線之間的區域相對應的柵圖案，其中，在形成所述柵圖案期間，通過選擇性地刻蝕所述柵層來形成所述單元區中的字線和所述外圍電路區中的外圍電路柵；

在所述外圍電路柵的側壁上形成間隔件；以及

通過選擇性地刻蝕所述柵圖案中的與所述相鄰的選擇線之間的區域相對應的部分來形成所述選擇線。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述柵層包括隧道絕緣層、浮柵層、電荷阻擋層和控制柵層的層疊結構，并且

在要形成所述外圍電路柵的區域和要形成所述選擇線的區域中去除所述電荷阻擋層的至少一部分。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述選擇線包括位于所述字線的一側的漏極選擇線和位于所述字線的另一側的源極選擇線，并且

所述漏極選擇線被設置為與另一漏極選擇線相鄰，所述源極選擇線被設置為與另一源極選擇線相鄰。

4.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述字線、所述選擇線和所述柵圖案之后，在襯底結構之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有填充所述字線之間的空間和所述字線與所述柵圖案之間的空間的厚度。

5.如權利要求4所述的方法，其中，形成所述間隔件的步驟還包括以下步驟：

在所述第一絕緣層之上形成用于形成所述間隔件的第二絕緣層；以及

對所述第二絕緣層執行毯式刻蝕工藝。

6.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述選擇線之后，在襯底結構之上形成用于形成緩沖的第三絕緣層以及形成第四絕緣層。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述第三絕緣層是氧化物層，所述第四絕緣層是氮化物層。

8.如權利要求6所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述第四絕緣層之后，在所述第四絕緣層之上形成相對于所述第四絕緣層具有刻蝕選擇性的層間電介質層；

通過選擇性地刻蝕所述層間電介質層來形成在所述相鄰的選擇線之間穿過的開口；

通過去除在所述開口的下表面上的所述第四絕緣層和所述第三絕緣層而暴露出所述襯底；以及

形成填充所述開口的接觸。

9.一種非易失性存儲器件，包括：

包括單元區和外圍電路區的襯底；

字線和選擇線，所述字線和所述選擇線形成在所述襯底的所述單元區中；

第一側壁結構，所述第一側壁結構設置在一對相鄰的選擇線的兩個側壁上；

外圍電路柵，所述外圍電路柵形成在所述襯底的所述外圍電路區中；以及

第二側壁結構，所述第二側壁結構設置在所述外圍電路柵的側壁上，

其中，所述第一側壁結構比所述第二側壁結構更薄。

10.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，構成所述第一側壁結構的層的數量小于構成所述第二側壁結構的層的數量。

11.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述第二側壁結構包括間隔件、以及沿著所述間隔件形成的用于形成緩沖的第三絕緣層和沿著所述間隔件形成的第四絕緣層，并且

所述第一側壁結構包括所述第三絕緣層和所述第四絕緣層。

12.如權利要求11所述的非易失性存儲器件，其中，所述間隔件中的每個包括氧化物層，所述第三絕緣層是氧化物層，所述第四絕緣層是氮化物層。

13.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述字線、所述選擇線和所述外圍電路柵中的每個包括隧道絕緣層、浮柵層、電荷阻擋層和控制柵層的層疊結構，并且

所述選擇線和所述外圍電路柵的電荷阻擋層的至少一部分被去除。

14.如權利要求9所述的非易失性存儲器件，其中，所述選擇線包括位于所述字線的一側的漏極選擇線和位于所述字線的另一側的源極選擇線，

所述漏極選擇線設置成與另一漏極選擇線相鄰，并且

所述源極選擇線設置成與另一源極選擇線相鄰。