[發明專利]一種等離子反應器

有效

• 申請號: 201210022296.8
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN102789949A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 歐陽亮;陶錚;倪圖強;松尾裕史;尹志堯
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐雯瓊

技術領域

本發明涉及一種靜電吸盤，特別涉及一種設有埋入射頻電極的靜電吸盤。?

背景技術

半導體工藝件的邊緣效應是困擾半導體產業的一個問題。所謂半導體工藝件的邊緣效應是指在等離子體處理過程中，由于等離子體受電場控制，而上下兩極邊緣處的場強會受外界影響，總有一部分電場線彎曲，而導致電場邊緣部分場強不均，進而導致該部分的等離子體濃度不均勻。在該種情況下，生產出的半導體工藝件周圍也存在一圈處理不均勻的區域。?

由于半導體工藝件是圓形的，因此愈外圈面積愈大，邊緣部分的各個工藝環節的均一性不佳將導致成品率顯著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半導體工藝件邊緣效應帶來的損失更為巨大。?

因此，業內需要能夠簡單有效地改善邊緣效應，提高制程均一性。?

發明內容

本發明的目的是提供一種設有埋入射頻電極的靜電吸盤，能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。?

為了實現以上目的，本發明是通過以下技術方案實現的：?

一種等離子反應器，包括一個反應腔，反應腔內有一個安裝基臺，安裝基臺內包括一個電極與第一射頻發生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，所述靜電吸盤包含：

埋入電極，所述的埋入電極設置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。

還包含：設置在靜電吸盤中心的中心電極，所述的中心電極通過電線與外部的第二射頻發生器相連，該電線從靜電吸盤下方的底座中穿過。?

所述的埋入電極與中心電極連接到相同的射頻發生器。?

還包含功率分配器，所述的功率分配器設置在第二射頻發生器與埋入電極和/或中心電極之間，調節進入埋入電極與中心電極中的射頻電流。?

所述的射頻電流的頻率大于13MHz。?

所述的射頻電流的頻率大于40MHz。?

所述的中心電極為平板電極。?

還包含絕緣件，所述的絕緣件設置在靜電吸盤下方的電極中，將從該電極中穿過的電線與電極電氣隔離。?

所述的靜電吸盤中還包括一個直流電極位于所述埋入電極上方。?

本發明與現有技術相比，具有以下優點：?

能夠補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率，從而保證靜電吸盤的有效性。

附圖說明

圖1為本發明一種設有埋入射頻電極的靜電吸盤的實施例之一的結構示意圖；?

圖2為本發明一種設有埋入射頻電極的靜電吸盤的實施例之二的結構示意圖。

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具體實施方式

以下結合附圖，通過詳細說明一個較佳的具體實施例，對本發明做進一步闡述。?

一種等離子反應器，包括一個反應腔，反應腔內有一個安裝基臺，安裝基臺內包括一個電極與第一射頻發生器相連接，所述電極上方固定有一個靜電吸盤以放置待處理基片，所述靜電吸盤包含埋入電極，該埋入電極設置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發生器相連，該電線從靜電吸盤下方的電極中穿過。?

實施例之一：?

如圖1所示，埋入電極1設置在靜電吸盤的邊緣并通過電線與外部的第二射頻發生器相連，該電線從靜電吸盤下方的底座中的下電極穿過，用來向靜電吸盤埋入電極1中引入射頻電流，射頻電流的頻率為高頻，頻率大于13MHz，在本實施例中，射頻電流的頻率大于40MHz。由于靜電吸盤中射頻電極的添加，使得原來底座中下電極產生的等離子濃度不均，典型的如中間濃度高于邊緣部分的問題得到改進。通過對流入靜電吸盤中射頻電極1功率的控制可以調節因埋入電極而產生的補償等離子濃度。最終調節獲得一個最佳的補償等離子濃度，使得底座中的下電極與靜電吸盤中的埋入電極產生的射頻電場疊加產生一個均一的等離子濃度分布。可保證靜電吸盤的邊緣的蝕刻/沉積率上升，補償靜電吸盤邊緣的蝕刻/沉積率。

如圖1所示，該靜電吸盤還包含絕緣件2，該絕緣件2設置在靜電吸盤下方的底座中的電極中，用來將電線與靜電吸盤下方的底座電氣隔離。?

靜電吸盤中還包括一直流電極，如圖中虛線部分所示直流電極位于埋入射頻電極1的上方。埋入電極與外部高壓直流電源（如700V）相連接，以提供對待處理基片的靜電吸力。?

實施例之二：?