[發明專利]固態成像裝置、其制造方法及電子設備有效
| 申請號: | 201210022098.1 | 申請日: | 2012-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN102629616A | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發明(設計)人: | 林利彥 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 制造 方法 電子設備 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
層疊的半導體芯片,構造為通過將兩個或更多個半導體芯片部分彼此接合而獲得,且是通過至少將其中形成有像素陣列和多層配線層的第一半導體芯片部分和其中形成有邏輯電路和多層配線層的第二半導體芯片部分彼此接合而獲得,并且該多層配線層彼此相對且彼此電連接;以及
遮光層,在該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分之間的接合附近,構造為由與該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分之一或二者的連接互連線的層相同層的導電膜形成,
其中該固態成像裝置構造為背面照明固態成像裝置。
2.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中以從上面看表面被均勻覆蓋的方式,該遮光層由該第一半導體芯片部分側的導電膜和該第二半導體芯片部分側的導電膜形成。
3.根據權利要求2所述的固態成像裝置,其中
該第一半導體芯片部分側或該第二半導體芯片部分側的該導電膜形成為具有多個孔的圖案,并且
以與該第一半導體芯片部分側或該第二半導體芯片部分側的該導電膜部分交疊的方式,該第二半導體芯片部分側或該第一半導體芯片部分側的該導電膜形成為覆蓋該多個孔的點圖案。
4.根據權利要求1所述的固態成像裝置,其中在該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分之間的接合部分處,該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分的互連線彼此直接接合。
5.一種固態成像裝置的制造方法,該方法包括:
在第一半導體晶片中用作第一半導體芯片部分的區域中至少形成像素陣列和多層配線層;
在第二半導體晶片中用作第二半導體芯片部分的區域中至少形成邏輯電路和多層配線層;
在該第一半導體晶片和該第二半導體晶片之一或二者的該多層配線層中形成由與連接互連線的層相同層的導電膜形成遮光層;
以該第一半導體晶片的該多層配線層和該第二半導體晶片的該多層配線層彼此相對、并且兩個晶片的互連線彼此電連接的方式,將至少包括該第一半導體晶片和該第二半導體晶片的兩個或更多個半導體晶片接合;
將該第一半導體晶片加工成薄膜形式;以及
將該接合的半導體晶片加工成芯片。
6.根據權利要求5所述的固態成像裝置的制造方法,其中以從上面看表面被均勻覆蓋的方式,該遮光層由該第一半導體晶片側的該導電膜和該第二半導體晶片側的該導電膜形成。
7.根據權利要求6所述的固態成像裝置的制造方法,其中
該第一半導體晶片側或該第二半導體晶片側的該導電膜形成為具有多個孔的圖案,并且
以與該第一半導體晶片側或該第二半導體晶片側的該導電膜部分交疊的方式,該第二半導體晶片側或該第一半導體晶片側的該導電膜形成為覆蓋該多個孔的點圖案。
8.根據權利要求5所述的固態成像裝置的制造方法,其中在該第一半導體晶片和該第二半導體晶片之間的接合部分處,該第一半導體晶片和該第二半導體晶片的互連線彼此直接接合。
9.一種電子設備,包括:
固態成像裝置;
光學系統,構造為將入射光引導到該固態成像裝置的光電轉換器;以及
信號處理單元,構造為處理該固態成像裝置的輸出信號,
該固態成像裝置包括:
層疊的半導體芯片,構造為通過將兩個或更多個半導體芯片部分彼此接合而獲得,且是通過至少將其中形成有像素陣列和多層配線層的第一半導體芯片部分和其中形成有邏輯電路和多層配線層的第二半導體芯片部分彼此接合而形成,并且該多層配線層彼此相對且彼此電連接;以及
遮光層,在該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分之間的接合附近,構造為由與該第一半導體芯片部分和該第二半導體芯片部分之一或二者的連接互連線的層相同層的導電膜形成,
其中該固態成像裝置構造為背面照明固態成像裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





