[發明專利]一種有機物層刻蝕方法有效
| 申請號： | 201210022073.1 | 申請日： | 2012-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN103227109A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 凱文·佩爾斯 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有機物 刻蝕 方法 | ||
1.一種有機物層刻蝕方法，所述刻蝕方法包括：
將待刻蝕基片放入等離子反應腔，所述基片上包括刻蝕目標有機物材料層；
通入反應氣體到等離子反應腔；
向反應氣體施加射頻電能點燃等離子體，對所述基片進行刻蝕；
其中所述反應氣體包括主刻蝕氣體，稀釋氣體和側壁保護氣體，其中主刻蝕氣體分子為O2，稀釋氣體選自Ar、N2、CO之一或者所述幾種氣體的混合物，側壁保護氣體為COS，稀釋氣體流量大于所述主刻蝕氣體流量，側壁保護氣體流量小于主刻蝕氣體流量。
2.根據權利要求1所述的一種有機物層刻蝕方法，其特征在于其中所述刻蝕目標材料層包括一層有機物掩膜材料層，以及位于該有機物掩膜材料層上方圖形化的無機材料層，所述圖形化無機材料層具有第一臨界尺寸。
3.根據權利要求2所述的一種有機物層刻蝕方法方法，其特征在于其中所述圖形化無機材料層的圖形通過位于其上方的具有第一臨界尺寸圖形的光刻膠為掩膜刻蝕獲得。
4.根據權利要求2所述的一種有機物層刻蝕方法方法，其特征在于其中所述有機物掩膜材料層通過刻蝕在材料層底部形成具有第二臨界尺寸的圖形，其中第二臨界尺寸小于第一臨界尺寸。
5.根據權利要求4所述的一種有機物層刻蝕方法方法，其特征在于以具有第二臨界尺寸圖形的所述有機物掩膜材料層為掩膜刻蝕下方的第二無機材料層。
6.根據權利要求2所述的一種有機物層刻蝕方法方法，其特征在于其中所述有機物掩膜材料層厚度大于100nm。
7.根據權利要求1所述的一種有機物層刻蝕方法，其特征在于所述反應腔中通入反應氣體中稀釋氣體與主刻蝕氣體O2的流量比為5∶1～10∶1。
8.根據權利要求7所述的一種有機物層刻蝕方法，其特征在于所述反應腔中通入反應氣體中稀釋氣體與主刻蝕氣體O2的流量比為5∶1～8∶1。
9.根據權利要求7所述的一種有機物層刻蝕方法，其特征在于所述反應腔中通入反應氣體中稀釋氣體的流量與側壁保護氣體COS的流量比可以在20∶1到6∶1之間。
10.根據權利要求1所述的一種有機物層刻蝕方法，其特征在于其中所述射頻電能施加為100-1000W的射頻電能，刻蝕時間持續大于30秒。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
