[發明專利]抑制P型贗埋層中的硼雜質外擴的方法

無效

• 申請號: 201210022022.9
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN103035560A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 劉冬華;段文婷;石晶;錢文生;胡君
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.抑制P型贗埋層中的硼雜質外擴的方法，包括步驟：

1)在硅襯底表面淀積氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅為阻擋層在P型硅襯底上刻蝕淺溝槽隔離結構，接著形成氧化硅及氧化硅側墻；

2)在淺溝槽隔離結構表面注入一道高濃度的P型雜質硼，形成重摻雜的P型贗埋層；

3)退火推進；

4)淺溝槽隔離結構表面注入一道高濃度的N型雜質，形成重摻雜的N型贗埋層；

其特征在于，步驟3)，在退火的同時進行輕度氧化，在P型贗埋層區域的硅表面和非重摻雜區域的硅表面各生長一層氧化硅。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在P型贗埋層區域的硅表面生長的氧化硅的厚度大于在非重摻雜區域的硅表面生長的氧化硅的厚度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)，所述氮化硅阻擋層的厚度為300～1000埃米，所述氧化硅側墻的厚度為200～1200埃米。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)，注入的劑量為1e14cm^-2～1e16cm^-2，能量為5keV～50keV。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，退火的溫度為900～1000攝氏度，時間30～60分鐘。