[發明專利]一種用于等離子體處理裝置的載片臺有效
| 申請號： | 201210021957.5 | 申請日： | 2012-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN103227088A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 陶錚;凱文·佩爾斯;松尾裕史;曹雪操 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 等離子體 處理 裝置 載片臺 | ||
1.一種應用于等離子體處理裝置的用于承載基片的載片臺，其中，所述基片位于所述載片臺上方，其特征在于，所述載片臺包括：
第一電極，其與具有第一頻率的射頻電源連接，用于產生等離子體，
靜電吸盤，其位于所述第一電極上方，其中，所述靜電吸盤包括：
第一電介質層，其中設置有一個或多個真空空洞；
第二電介質層，其位于所述第一電介質層上方，并埋設有用于產生靜電吸力的電極。
2.根據權利要求1所述的載片臺，其特征在于，所述一個或多個真空空洞設置于對應于所述基片中央區域下方的所述第一電介質層中。
3.根據權利要求1所述的載片臺，其特征在于，所述一個或多個真空空洞分別設置于對應于所述基片中央區域和邊緣區域，以及位于所述中央區域和所述邊緣區域之間的中間區域的所述第一電介質層中。
4.根據權利要求3所述的載片臺，其特征在于，所述對應于所述基片中央區域的一個或多個真空空洞和所述對應于所述基片中間區域的一個或多個真空空洞的體積相同。
5.根據權利要求4所述的載片臺，其特征在于，所述對應于基片中央區域的一個或多個空洞與所述對應于基片中間區域的一個或多個空洞相連，成為一體。
6.根據權利要求3所述的載片臺，其特征在于，所述對應于所述基片中央區域的一個或多個真空空洞的體積大于所述對應于所述基片中間區域的一個或多個真空空洞的體積。
7.根據權利要求6所述的載片臺，其特征在于，所述對應于基片中央區域的一個或多個空洞與所述對應于基片中間區域的一個或多個空洞相連，成為一體。
8.根據權利要求1至7任一項所述的載片臺，其特征在于，所述第一頻率為13M赫茲以上。
9.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括權利要求1至7任一項所述的載片臺。
10.根據權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一頻率為13M赫茲以上。
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