[發(fā)明專利]光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210021943.3
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN102590949A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王維彪;梁靜秋;梁中翥;周建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
• 主分類號: G02B6/28
• 分類號: G02B6/28;G02B6/122
• 代理公司: 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括波導(dǎo)層、低折射率埋層(7)和襯底層(8)，波導(dǎo)層位于低折射率埋層(7)上部，低折射率埋層(7)下部與襯底層(8)相連；其特征是，所述波導(dǎo)層包括波導(dǎo)一區(qū)(1)、缺陷區(qū)和波導(dǎo)二區(qū)(2)，所述波導(dǎo)一區(qū)(1)由多個介質(zhì)柱(9)周期性排列組成，波導(dǎo)一區(qū)(1)與波導(dǎo)二區(qū)(2)的銜接處分布一行缺陷介質(zhì)柱(10)，該行缺陷介質(zhì)柱構(gòu)成缺陷區(qū)，所述波導(dǎo)二區(qū)最外面分布一行耦合介質(zhì)柱(12)，該行耦合介質(zhì)柱構(gòu)成耦合區(qū)(3)，并且波導(dǎo)二區(qū)(2)中包含多個沿平行于缺陷區(qū)(10)方向排列的點(diǎn)缺陷(6)，每個點(diǎn)缺陷(6)與周圍的介質(zhì)柱(9)以及最外面的耦合介質(zhì)柱(12)構(gòu)成光子晶體諧振腔(4)；多個光子晶體諧振腔(4)關(guān)聯(lián)，每個光子晶體諧振腔(4)中的點(diǎn)缺陷(6)上部對應(yīng)位置處依次分布有第二耦合介質(zhì)柱(13)和第一耦合介質(zhì)柱(11)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述波導(dǎo)一區(qū)1的多個介質(zhì)柱(9)的半徑為r。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述耦合區(qū)介質(zhì)柱(12)的半徑r₄大于或小于介質(zhì)柱(9)的半徑r。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述點(diǎn)缺陷(6)由半徑為r₁的介質(zhì)柱(5)構(gòu)成，缺陷區(qū)由半徑為r₅的介質(zhì)柱構(gòu)成；r₁與r₅的值相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光子晶體邊耦合雙通道光波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述點(diǎn)缺陷(6)為在光子晶體中改變一個或多個介質(zhì)柱的半徑形成的缺陷或者在光子晶體中去掉一個或多個介質(zhì)柱形成的空隙。