[發(fā)明專利]基于石墨烯的復(fù)合膜及其制備方法、導(dǎo)電電極及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210021877.X | 申請(qǐng)日: | 2012-01-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102543270A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張克勤;劉莊;賈明亮;張帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01B5/14 | 分類號(hào): | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京集佳著¥識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
| 地址: | 215123 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 石墨 復(fù)合 及其 制備 方法 導(dǎo)電 電極 | ||
1.一種基于石墨烯的復(fù)合膜,其特征在于,所述復(fù)合膜包括石墨烯薄膜層和絲蛋白薄膜層,所述石墨烯薄膜層固化結(jié)合于所述絲蛋白薄膜層的表面。
2.一種如權(quán)利要求1所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)制備石墨烯薄膜;
(2)制備絲蛋白薄膜;
(3)石墨細(xì)薄膜與絲蛋白薄膜復(fù)合,獲得基于石墨烯的復(fù)合膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)的制備方法具體實(shí)現(xiàn)如下:
(a)將氧化石墨烯溶液涂覆在硅片上,獲得氧化石墨烯薄膜;
(b)將氧化石墨烯薄膜浸泡在氫碘酸溶液中進(jìn)行還原,獲得石墨烯薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(a)中,所述氧化石墨烯溶液通過旋轉(zhuǎn)涂覆方法涂覆在硅片上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,所述氧化石墨烯溶液的濃度為1.5mg/ml,所述旋轉(zhuǎn)涂覆的轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)的制備方法具體實(shí)現(xiàn)如下:
一、制備絲素蛋白溶液;
二、將絲素蛋白溶液涂抹于石墨烯薄膜的表面,干燥后獲得形成于石墨烯表面的絲蛋白薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于石墨烯的復(fù)合膜的制備方法,其特征在于,所述石墨烯薄膜的制備是在硅片上進(jìn)行的,絲蛋白薄膜制備完成后,將石墨烯薄膜和絲蛋白薄膜從硅片上剝離,獲得基于石墨烯的復(fù)合膜。
8.一種導(dǎo)電電極的制備方法,其特征在于,對(duì)所述權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的基于石墨烯的復(fù)合膜進(jìn)行光刻處理,獲得導(dǎo)電電極。
9.一種導(dǎo)電電極,其特征在于,所述導(dǎo)電電極是采用權(quán)利要求8所述的方法獲得的。
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