[發(fā)明專利]一種基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210021319.3
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN102544388A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 李福山;郭太良;胡利勤;徐勝;林之曉;張蓓蓓
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極，其特征在于：所述的柔性電極為金屬基多膜系結構，從下往上依次是柔性聚對苯二甲酸乙二醇酯基板，碳納米管薄膜層，Ag薄膜層和摻鋁氧化鋅薄膜層。

2.一種如權利要求1所述的基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極的制備方法，其特征在于：所述的制備方法包括以下步驟：

1）采用薄膜制備工藝在柔性基板上鍍上一層碳納米管薄膜；

2）將鍍上碳納米管薄膜的柔性基板放入真空室，采用磁控濺射法在碳納米管薄膜上鍍Ag薄膜；

3）再次采用磁控濺射法，在Ag薄膜上繼續(xù)鍍摻鋁氧化鋅薄膜。

3.根據(jù)權利要求2所述的基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極的制備方法，其特征在于：步驟1）所述的碳納米管薄膜厚度為30～100nm。

4.根據(jù)權利要求2所述的基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極的制備方法，其特征在于：步驟2）所述的磁控濺射鍍膜時間為30～100s，所述的Ag薄膜厚度為9～35nm。

5.根據(jù)權利要求2所述的基于碳納米管/銀/摻鋁氧化鋅結構的柔性電極的制備方法，其特征在于：步驟3)?所述的磁控濺射鍍膜時間為9~20min，所述的摻鋁氧化鋅薄膜厚度為100~200nm。