[發明專利]半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201210021268.4 | 申請日： | 2012-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN102593185A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，包括晶體管，該晶體管包括：
半導體膜；以及
所述半導體膜上的源電極及漏電極，
其中，所述源電極及漏電極的整個部分覆蓋所述半導體膜的一部分。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體膜包括氧化物半導體。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述源電極的底面及所述漏電極的底面不與所述半導體膜的側面直接接觸。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述源電極及所述漏電極的輪廓與所述半導體膜的輪廓彼此重疊以形成直線或曲線。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體膜包括結晶氧化物半導體。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述結晶氧化物半導體包括c軸取向的結晶。
7.一種半導體裝置，包括晶體管，該晶體管包括：
襯底上的基底絕緣膜；
所述基底絕緣膜上的半導體膜；
所述半導體膜上的源電極及漏電極；
所述源電極及所述漏電極上的柵極絕緣膜；以及
所述柵極絕緣膜上的柵電極，
其中，所述源電極及漏電極的整個部分覆蓋所述半導體膜的一部分。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述半導體膜包括氧化物半導體。
9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述源電極的底面及所述漏電極的底面不與所述半導體膜的側面直接接觸。
10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述源電極及所述漏電極的輪廓與所述半導體膜的輪廓彼此重疊以形成直線或曲線。
11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述半導體膜包括結晶氧化物半導體。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述結晶氧化物半導體包括c軸取向的結晶。
13.一種半導體裝置的制造方法，所述方法包括如下步驟：
在襯底上形成半導體膜；
在所述半導體膜上形成導電膜；
加工所述導電膜來形成源電極及漏電極；以及
在加工所述導電膜之后，加工所述半導體膜。
14.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中所述半導體膜包括氧化物半導體。
15.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在形成所述半導體膜之后及形成所述導電膜之前，加熱所述襯底。
16.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在形成所述導電膜之后及加工所述導電膜之前，加熱所述襯底。
17.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述半導體膜上與該半導體膜接觸地形成第二半導體膜，其中所述第二半導體膜包括氧化物半導體。
18.根據權利要求17所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在形成所述第二半導體膜之后及形成所述導電膜之前，加熱所述襯底。
19.一種半導體裝置的制造方法，所述方法包括如下步驟：
在襯底上形成基底絕緣膜；
在所述基底絕緣膜上形成半導體膜；
在所述半導體膜上形成導電膜；
加工所述導電膜來形成源電極及漏電極；
在加工所述導電膜之后，加工所述半導體膜；
在所述源電極及所述漏電極上形成柵極絕緣膜；以及
在所述柵極絕緣膜上形成柵電極。
20.根據權利要求19所述的半導體裝置的制造方法，其中所述半導體膜包括氧化物半導體。
21.根據權利要求19所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在形成所述半導體膜之后及形成所述導電膜之前，加熱所述襯底。
22.根據權利要求19所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：在形成所述導電膜之后及加工所述導電膜之前，加熱所述襯底。
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