[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210021184.0 | 申請日： | 2012-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN102623441A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李忠善;尹宣弼;宋炫靜;金晶煥;閔臺(tái)洪 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛義丹 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
第一芯片；
第二芯片，位于所述第一芯片上方；
導(dǎo)電元件，在所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面之間延伸；
均勻一體底部填充材料，置于所述第一芯片和所述第二芯片之間，包封所述導(dǎo)電元件，并沿所述第二芯片的側(cè)壁延伸，所述均勻一體底部填充材料的上表面沿與所述第二芯片的上表面平行的方向延伸并與所述第二芯片的所述上表面相鄰地設(shè)置；
模制材料，在位于所述第一芯片的所述上表面上方的所述均勻一體底部填充材料的外側(cè)表面上，其中，所述模制材料通過所述均勻一體底部填充材料與所述第二芯片的側(cè)壁分開，從而所述模制材料不接觸所述第二芯片的側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述均勻一體底部填充材料包括硅石和樹脂的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述模制材料完全圍繞所述第二芯片的所有側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一芯片包括集成電路和多個(gè)通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二芯片電連接到所述通孔中的一些通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述通孔中的電連接到所述第二芯片的一些通孔與所述第一芯片的集成電路隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述通孔中的另一些通孔電連接到所述第一芯片的集成電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二芯片是所述半導(dǎo)體裝置的最頂部的芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述底部填充材料的上表面是平坦的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述底部填充材料的上表面具有凹進(jìn)或凸出的剖視輪廓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述模制材料的上表面、所述均勻一體底部填充材料的上表面和所述第二芯片的上表面共面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述模制材料的整個(gè)上表面和所述均勻一體底部填充材料的整個(gè)上表面均位于離第一平面5μm的范圍內(nèi)，其中，所述第一平面為所述第二芯片的上表面所處的平面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述均勻一體底部填充材料在所述第二芯片的側(cè)壁上方延伸并接觸所述第二芯片的在與所述側(cè)壁相鄰的位置處的上表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述模制材料延伸超過所述第二芯片的上表面并接觸所述第二芯片的上表面的中心部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一芯片的厚度大于等于50μm，所述第二芯片的厚度小于等于50μm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體裝置的熱膨脹系數(shù)小于6ppm/K。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體裝置的熱膨脹系數(shù)小于4ppm/K。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二芯片的熱膨脹系數(shù)與所述均勻一體底部填充材料的熱膨脹系數(shù)的比率小于1/3。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述均勻一體底部填充材料的熱膨脹系數(shù)大于所述第一芯片的熱膨脹系數(shù)并小于所述模制材料的熱膨脹系數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述模制材料的體積與所述均勻一體底部填充材料的體積的比率小于等于2。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，相對于所述第一芯片、所述第二芯片和所述均勻一體底部填充材料的組合的垂直剖視輪廓：
所述均勻一體底部填充材料沿所述第一芯片的上表面延伸第一距離，所述第一距離為從位于所述第二芯片的第一側(cè)壁正下方的第一位置到所述第一芯片的不位于第二芯片下方的上表面處的均勻一體底部填充材料的邊緣處的第二位置的距離；
所述均勻一體底部填充材料包括遠(yuǎn)離所述第一側(cè)壁延伸第二距離的上表面，
其中，所述第二距離與所述第一距離的比率小于等于0.5。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
