[發明專利]一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置無效
| 申請號: | 201210020940.8 | 申請日: | 2012-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN102569149A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 梁冬泰;路波;李建強;許棟明;居曉峰;林金偉 | 申請(專利權)人: | 寧波大學 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;B65G47/91 |
| 代理公司: | 寧波市天晟知識產權代理有限公司 33219 | 代理人: | 張文忠 |
| 地址: | 315211 浙江省寧波市風華路818號*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 回旋 接觸 夾持 裝置 | ||
1.一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,包括整體結構為圓柱體的裝置本體,其特征是:所述的裝置本體包括制有主進氣腔(1a)的安裝座體(1)和與安裝座體(1)底部圓平面(11)固定連接的氣爪主體(2);所述氣爪主體(2)的上部和下部等弧度等數量分別均布制有構成氣爪外圍層的第一回旋流腔(21a)和構成氣爪內圍層的第二回旋流腔(23a),氣爪主體(2)內部分別制有能與每個第一回旋流腔(21a)和每個第二回旋流腔(23a)相切連通的第一導氣通道和第二導氣通道,并且兩相鄰的第一回旋流腔(21a)以及兩相鄰的第二回旋流腔(23a)的進氣方向均相反,所述氣爪主體(2)內中部制有徑向連通外界的下凹排氣區,下凹排氣區沿氣爪主體(2)的軸心向下貫通制有排氣通道,氣爪主體(2)下端面與每個第一回旋流腔(21a)同軸對應制有軸向延伸至中部構成氣爪外圍環形負壓真空吸引區域的負壓吸引通道,第一回旋流腔(21a)與負壓吸引通道的對應連接間留有連通下凹排氣區的排氣間隙,所述第二回旋流腔(23a)貫通氣爪主體(2)的下端面構成氣爪內圍環形正壓排斥區,所述安裝座體(1)底部圓平面(11)分別制有連通第一導氣通道與主進氣腔(1a)的第一導氣孔(1b)和連通第二導氣通道與主進氣腔(1a)的第二導氣孔(1c)。
2.根據權利要求1所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的氣爪主體(2)由三片圓形硅材料加工制作的上氣爪層(21)、中氣爪層(22)和下氣爪層(23)組合構成,并且上氣爪層(21)、中氣爪層(22)和下氣爪層(23)之間采用硅-硅陽極鍵合技術固定相粘接。
3.根據權利要求2所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的安裝座體(1)為鋁材料加工制作的具有一端開口構成主進氣腔(1a)的空心柱形體,所述主進氣腔(1a)的內壁制有方便于外部管路連接的內螺紋,安裝座體(1)的底部圓平面(11)與氣爪主體(2)上氣爪層(21)的上端面采用鋁-硅陽極鍵合技術固定相粘接。
4.根據權利要求3所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的上氣爪層(21)和下氣爪層(23)分別貫通制有構成六個第一回旋流腔(21a)的上通孔和構成六個第二回旋流腔(23a)的下通孔,所述負壓吸引通道由分別貫通下氣爪層(23)和中氣爪層(22)的負壓吸引孔(23e)和吸引過渡孔(22a)組成,所述第一回旋流腔(21a)的下端口和吸引過渡孔(22a)的上端口之間留有的距離構成了第一回旋流腔(21a)留有的排氣間隙。
5.根據權利要求4所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的中氣爪層(22)的上表面制有帶有六個徑向排氣通道(221a)的下凹區(221),所述下凹區(221)與上氣爪層(21)的下表面合圍的空間構成了上述連通外界的下凹排氣區,所述兩相鄰的徑向排氣通道(221a)間形成有與上氣爪層(21)粘接相連的梯形凸臺(222),所述每個徑向排氣通道(221a)均經過相應的吸引過渡孔(22a)的軸心線。
6.根據權利要求5所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的第一導氣通道由上氣爪層(21)上表面制有的下凹孔(21b)和下凹槽(21c)組成,所述下凹槽(21c)的出氣端與第一回旋流腔(21a)相切連通,下凹槽(21c)的進氣端連接下凹孔(21b),所述下凹孔(21b)與安裝座體(1)的第一導氣孔(1b)相連通。
7.根據權利要求6所述的一種回旋流非接觸氣爪夾持裝置,其特征是:所述的第二導氣通道由上氣爪層(21)和中氣爪層(22)同軸貫通制有的上層進氣孔(21d)和中層導氣過渡孔(22b)以及下氣爪層(23)上表面制有的下凹腔(23b)和下凹導氣槽(23c)共同組成;所述下凹導氣槽(23c)與第二回旋流腔(23a)相切連通,下凹導氣槽(23c)的另一端依次與下凹腔(23b)、中層導氣過渡孔(22b)和上層進氣孔(21d)相連通,所述上層進氣孔(21d)經第二導氣孔(1c)與主進氣腔(1a)相連通,所述中層導氣過渡孔(22b)穿設在中氣爪層(22)的梯形凸臺(222)上。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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