[發(fā)明專利]低電阻率材料的束誘導(dǎo)沉積

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210020842.4
• 申請日: 2012-01-30
• 公開（公告）號: CN102618852A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S.蘭多夫;C.D.錢德勒
• 申請（專利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李連濤;郭文潔

1.?將低電阻率材料沉積到基底上的方法，該方法包括：

將包含甲基化或乙基化金屬的前體氣體導(dǎo)向基底表面；

在前體氣體存在下用離子束照射基底表面，該前體氣體在粒子束存在下離解以在基底表面上沉積低電阻率材料。

2.?權(quán)利要求1的方法，其中離子束是鎵離子束，且其中沉積的材料含有鎵和由前體氣體離解的金屬。

3.?權(quán)利要求1的方法，其中前體氣體包含六甲基二錫。

4.?權(quán)利要求1的方法，其中前體氣體包含甲基三氯化錫、六乙基二錫或六丁基二錫。

5.?權(quán)利要求1的方法，其中沉積的材料具有小于120?μΩ?cm的電阻率。

6.?權(quán)利要求1的方法，其中沉積的低電阻率材料具有小于80?μΩ?cm的電阻率。

7.?權(quán)利要求1的方法，其中沉積的低電阻率材料具有小于50?μΩ?cm的電阻率。

8.?權(quán)利要求1的方法，其中沉積的材料是歐姆性質(zhì)的。

9.?權(quán)利要求2的方法，其中沉積的材料具有在本體金屬的5倍內(nèi)的電阻率。

10.?權(quán)利要求3的方法，其中粒子束是鎵離子束，其中由前體氣體離解的金屬包含錫，且其中沉積的材料包含錫和鎵。

11.?權(quán)利要求10的方法，其中沉積的材料為至少95%錫。

12.?權(quán)利要求11的方法，其中沉積的材料具有小于50?μΩ?cm的電阻率。

13.?權(quán)利要求1的方法，其中離子束包含鎵聚焦離子束。

14.?權(quán)利要求1的方法，其中離子束包含使用等離子體源制成的聚焦離子束。

15.?權(quán)利要求14的方法，其中聚焦的離子是氙、氬或氦離子。

16.?權(quán)利要求1的方法，其中使用質(zhì)量選擇的離子源制造離子束。

17.?將低電阻率材料沉積到基底上的方法，該方法包括：

將包含六甲基二錫的前體氣體導(dǎo)向基底表面；

在前體氣體存在下用鎵離子束照射基底表面，該前體氣體在粒子束存在下反應(yīng)以在基底表面上沉積材料，所述沉積的材料含有錫和鎵并具有小于120?μΩ?cm的電阻率。

18.?權(quán)利要求17的方法，其中沉積的材料為至少95%錫。

19.?權(quán)利要求17的方法，其中含有錫和鎵的沉積的材料具有小于50?μΩ?cm的電阻率。

20.?束誘導(dǎo)沉積方法：

將前體氣體導(dǎo)向基底表面；

在前體氣體存在下用鎵離子束照射基底表面，該前體氣體在鎵離子束存在下反應(yīng)以在基底表面上沉積材料，沉積的材料包含鎵和由前體氣體離解的金屬的共晶組合物或固溶體。

21.?權(quán)利要求20的方法，其中前體氣體包含甲基化或乙基化金屬。

22.?權(quán)利要求20的方法，其中前體氣體包含六甲基二錫。

23.?權(quán)利要求20的方法，其中前體氣體包含甲基三氯化錫、六乙基二錫或六丁基二錫。

24.?權(quán)利要求20的方法，其中沉積的材料具有小于120?μΩ?cm的電阻率。

25.?權(quán)利要求20的方法，其中沉積的低電阻率材料具有小于50?μΩ?cm的電阻率。

26.?權(quán)利要求20的方法，其中前體氣體包含錫，且其中將前體氣體與包括氧的化合物混合以在基底表面上沉積氧化錫。

27.?權(quán)利要求20的方法，其中前體氣體包含錫，且其中將前體氣體與包括氮的化合物混合以在基底表面上沉積氮化錫。