[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體器件、制造器件的方法和電氣器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210020479.6
• 申請日: 2012-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN102637721A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倉橋菜緒子
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H03F3/189
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;吳鵬章

1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)；

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的柵極絕緣膜；和

柵電極，

其中所述柵電極包括所述柵極絕緣膜上的柵極基部和柵極傘部，并且所述柵極傘部的表面包括與所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的肖特基接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上與所述柵電極一起提供的介電體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述柵極基部通過填充形成在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)中的第一溝槽來形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述介電體通過填充形成在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)中的第二溝槽來形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述柵極傘部的表面在形成在所述柵極絕緣膜中的開口中具有所述肖特基接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述開口沿所述柵電極的縱向方向形成在所述柵極絕緣膜中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括：

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極一側(cè)上的源電極；和

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的另一側(cè)上的漏電極，

其中在所述柵電極的所述另一側(cè)上的所述柵極傘部的表面和所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)之間形成所述肖特基接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括：

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極一側(cè)上的源電極；和

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的另一側(cè)上的漏電極，

其中所述介電體設(shè)置在所述柵電極和所述漏電極之間。

9.一種用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成開口，以暴露所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的表面的一部分；和

在所述柵極絕緣膜上形成包括柵極基部和柵極傘部的柵電極，以使所述柵極傘部的表面包括在所述開口中的與所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的肖特基接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括，

與所述柵電極一起在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上形成介電體。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述開口沿所述柵電極的縱向方向形成在所述柵極絕緣膜中。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)中形成第一溝槽；和

填充所述第一溝槽以形成所述柵極基部。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)中形成第二溝槽，和

填充所述第二溝槽以形成所述介電體。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的一側(cè)上形成源電極；

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的另一側(cè)上形成漏電極，

其中在所述柵電極的所述另一側(cè)上的所述柵極傘部的表面和所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)之間形成所述肖特基接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括，

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的一側(cè)上形成源電極；

在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的所述柵電極的另一側(cè)上形成漏電極；和

在所述柵電極和所述漏電極之間形成介電體。

16.一種用于處理和輸出信號(hào)的電氣器件，包括，

包括化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)、在所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)上的柵極絕緣膜和柵電極的晶體管，

其中所述柵電極包括在所述柵極絕緣膜上的柵極基部和柵極傘部，并且

所述柵極傘部的表面包括與所述化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的肖特基接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電氣器件，其中所述器件包括耦接到變壓器的高壓電路。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電氣器件，其中所述器件包括放大和輸出高頻電壓的高頻放大器。