[發明專利]用于在玻璃襯底上制造集成無源器件的方法

無效

• 申請號: 201210020310.0
• 申請日: 2012-01-19
• 公開（公告）號: CN102623381A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 陳文昭;毛明瑞;楊士賢;蔡冠智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

技術領域

本發明涉及集成電路領域，更具體地，涉及用于在玻璃襯底上制造集成無源器件的方法。

背景技術

將集成無源器件用在復合信號電路、模擬電路、射頻(RF)電路、動態隨機存取存儲器(DRAM)、嵌入式DRAM電路、邏輯運算電路等中。集成無源器件包括：電容器、電感器、變壓器、電阻器等。

集成無源器件的形成可以與用于形成有源器件的工藝類似，其中，從硅襯底開始，一層一層地形成介電層，并且在介電層中形成金屬線和通孔。還在介電層中形成無源器件。

傳統集成無源器件通常經受不能滿足RF電路的需要的較低性能。例如，在傳統集成無源器件中的電容器的品質因數(Q-factor)較低，并且電感器的帶寬較窄。在各個襯底中的渦流電流可能導致集成無源器件的較低性能。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一個方面，提供了一種方法，包括：在半導體襯底的上方形成多個介電層；在所述多個介電層中形成集成無源器件；從所述多個介電層中去除所述半導體襯底；以及

將電介質襯底接合在所述多個介電層上。

該方法進一步包括：將載具晶圓接合在所述多個介電層上，其中，所述載具晶圓和所述半導體襯底位于所述多個介電層的相對側面上；在接合所述載具晶圓的步驟以后，實施去除所述半導體襯底的步驟；實施接合所述電介質襯底的步驟，其中，所述電介質襯底和所述載具晶圓位于所述多個介電層的相對側面上；在接合所述電介質襯底的步驟以后，去除所述載具晶圓；以及形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質襯底位于所述多個介電層的相對側面上，其中，所述電介質襯底和所述半導體襯底位于所述多個介電層的相同側面上。

在該方法中，所述電介質襯底和所述半導體襯底位于所述多個介電層的相對側面上，以及在去除所述半導體襯底的步驟以前，實施接合所述電介質襯底的步驟，或者所述方法進一步包括：在去除所述半導體襯底的步驟以后，形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述電介質襯底位于所述多個介質層的相對側面上。

在該方法中，所述電介質襯底包括：玻璃襯底；或者該方法進一步包括：將所述電介質襯底和所述多個介電層切割成多個管芯，其中，所述多個管芯的每個均包括一塊所述電介質襯底。

根據本發明的另一方面，提供了一種方法，包括：在半導體襯底的上方形成介電層；在所述介電層的上方形成多個介電層；在所述多個介電層中形成集成無源器件；在所述多個介電層的上方形成第一鈍化層；將載具晶圓接合在所述第一鈍化層上；去除所述半導體襯底以暴露所述介電層；將玻璃襯底接合在所述介電層上；以及從所述第一鈍化層和所述多個介質層中去除所述載具晶圓。

在該方法中，在去除所述載具晶圓的步驟以后，暴露所述第一鈍化層，并且其中，所述方法進一步包括：在所述第一鈍化層中形成金屬通孔；在所述第一鈍化層的上方形成金屬凸塊，其中，通過所述金屬通孔將所述金屬凸塊電連接至所述集成無源器件；在所述第一鈍化層的上方形成含鋁焊盤，其中，通過所述金屬通孔將所述含鋁焊盤電連接至所述集成無源器件；在所述含鋁焊盤的上方形成第二鈍化層；形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開口并且電連接至所述含鋁焊盤；以及實施形成所述金屬凸塊的步驟。

在該方法中，從基本上由電容器、電感器、以及其組合構成的組中選擇所述集成無源器件；或者該方法進一步包括：將所述玻璃襯底和所述多個介電層切割為多個管芯，其中，所述多個管芯的每個均包括一塊所述玻璃襯底；或者所述半導體襯底為硅襯底。

根據本發明的又一方法，提供了一種方法，包括：在半導體襯底的上方形成介電層；在所述介電層的上方形成多個介電層，其中，在所述多個介電層中形成集成無源器件；在所述多個介電層的上方形成第一鈍化層；將玻璃襯底接合在所述第一鈍化層上；去除所述半導體襯底；以及形成金屬凸塊，其中，所述金屬凸塊和所述玻璃襯底位于所述多個電介質層的相對側面上。

該方法進一步包括：在形成所述金屬凸塊的步驟以前，與所述玻璃襯底相比較在所述多個介質層的相對側面上形成含鋁焊盤，其中，通過位于所述介電層中的金屬通孔將所述含鋁焊盤電連接至所述集成無源器件；形成與所述含鋁焊盤接觸的第二鈍化層；形成凸塊底部金屬(UBM)，所述凸塊底部金屬延伸入位于所述第二鈍化層中的開口并且電連接至所述含鋁焊盤；以及實施形成所述金屬凸塊的步驟，或者從基本上由電容器、電感器、以及其組合構成的組中選擇所述集成無源器件。