[發明專利]一種生產單晶硅的方法

有效

• 申請號: 201210020267.8
• 申請日: 2012-01-29
• 公開（公告）號: CN103225110A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 王軍;郭大偉;王楠
• 申請（專利權）人: 北京京運通科技股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B11/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

1.一種生產單晶硅的方法，其特征在于，包括：

在坩堝底部放置方單晶；

在所述方單晶上放置硅料及合金；

將所述坩堝放置在單晶硅爐內，經過加熱、熔化、長晶、退火和冷卻的過程，獲得單晶硅錠；其中，所述熔化過程中當所述方單晶熔化到規定深度后，開始所述長晶過程；

切割所述單晶硅錠，獲得單晶硅片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在坩堝底部放置方單晶，包括：

選取1mm-50mm厚的方單晶放置在坩堝底部，放置時將品質等級達標的方單晶放置在所述坩堝底部的中央區域，所述中央區域之外的區域放置其他等級的方單晶。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述中央區域放置的方單晶高于所述中央區域之外區域放置的方單晶。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述方單晶上放置硅料及合金，包括：

將硅料及合金放置在所述方單晶上層，使得坩堝上放置的原料總重量不小于800公斤。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述合金和硅料的平均電導率與單晶硅目標電導率相匹配。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱過程中采取真空功率模式來控制溫度。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔化過程中采取氣體溫度模式來控制溫度。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述長晶過程中通過檢測時間值，控制隔熱籠的開度；

通過改變所述隔熱籠的開度，控制所述坩堝內的溫度梯度，使得所述坩堝內的長晶速度按照預定生長曲線進行。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述熔化過程中當所述方單晶熔化到規定深度后，開始所述長晶過程，包括：

所述熔化過程中通過探測坩堝中溫度、加熱時間和溫度梯度判斷所述方單晶是否熔化到規定深度。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割所述單晶硅錠獲得單晶硅片，包括：

切割掉所述單晶硅錠的首尾部后，按照預定尺寸將所述單晶硅錠切割為至少一個單晶硅片。