[發明專利]具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件及其制作方法

有效

• 申請號: 201210020145.9
• 申請日: 2012-01-21
• 公開（公告）號: CN103187301A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林永發;徐守一;吳孟韋;張家豪
• 申請（專利權）人: 茂達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，且所述基底具有一第一導電類型；

于所述基底上形成一外延層，且所述外延層具有不同于所述第一導電類型的一第二導電類型；

于所述外延層中形成至少一穿孔，貫穿所述外延層；

于所述穿孔的兩側的所述外延層中分別形成兩個漏極摻雜區，且所述漏極摻雜區從所述外延層的上表面延伸至與所述基底相接觸，其中所述漏極摻雜區具有所述第一導電類型；

于所述穿孔中填入一絕緣層，且所述絕緣層的上表面低于所述外延層的上表面；

于所述絕緣層上的所述穿孔的各所述側的所述外延層中分別形成一信道摻雜區，其中所述信道摻雜區具有所述第二導電類型；

于所述絕緣層上的所述穿孔中形成一柵極結構；以及

于各所述信道摻雜區上分別形成一源極摻雜區，且所述源極摻雜區具有所述第一導電類型。

2.如權利要求1所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述外延層的步驟與形成所述穿孔的步驟之間，所述制作方法還包括：

于所述外延層上依序形成一第一硬掩模層以及一第二硬掩模層；以及

圖案化所述第二硬掩模層以及所述第一硬掩模層，以暴露出所述外延層。

3.如權利要求2所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述外延層的步驟與形成所述第一硬掩模層的步驟之間，所述制作方法還包括：

于所述外延層上形成一襯墊層；以及

于所述外延層中形成一井區，且所述井區具有所述第二導電類型。

4.如權利要求2所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述絕緣層的步驟包括：

于所述第二硬掩模層上形成一絕緣材料層，且所述絕緣材料層填滿所述穿孔；

進行一研磨工藝，移除位于所述穿孔外的所述絕緣材料層與所述第二硬掩模層；以及

進行一刻蝕工藝，移除所述穿孔中的部分所述絕緣材料層，以形成所述絕緣層。

5.如權利要求1所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述漏極摻雜區的步驟包括一斜角度離子注入工藝或一氣相摻雜工藝。

6.如權利要求1所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，于形成所述絕緣層的步驟與形成所述信道摻雜區的步驟之間，所述制作方法還包括：

于所述絕緣層上的所述穿孔的兩側壁上分別形成兩層氧化層，其中鄰近所述穿孔的各所述漏極摻雜區的一部分轉變為各所述氧化層的一部分；以及

進行一濕式刻蝕工藝，移除所述氧化層。

7.如權利要求1所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述信道摻雜區的步驟包括一斜角度離子注入工藝或一氣相摻雜工藝。

8.如權利要求1所述的具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，于形成所述信道摻雜區的步驟與形成所述柵極結構的步驟之間，所述制作方法還包括移除所述第一硬掩模層以及所述襯墊層。

9.一種具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，且所述基底具有一第一導電類型；

于所述基底上形成一第一外延層，且所述第一外延層具有不同于所述第一導電類型的一第二導電類型；

于所述第一外延層中形成至少一第一穿孔，貫穿所述第一外延層；

于所述第一穿孔的兩側的所述第一外延層中分別形成兩個漏極摻雜區，且所述漏極摻雜區從所述第一外延層的上表面延伸至與所述基底相接觸，其中所述漏極摻雜區具有所述第一導電類型；

于所述第一穿孔中填滿一絕緣層；

于所述第一外延層與所述絕緣層上形成一第二外延層，且所述第二外延層具有所述第二導電類型；

于所述第二外延層中形成至少一第二穿孔，暴露出所述絕緣層；

于所述第二穿孔中形成一柵極結構；以及

于所述第二穿孔的兩側的所述第二外延層中分別形成兩個源極摻雜區，且所述源極摻雜區具有所述第一導電類型。