[發明專利]α型賽隆、發光裝置及其用途有效
| 申請號: | 201210020012.1 | 申請日: | 2012-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN102618276A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 野野垣良三;野見山智宏;川越美滿;山田鈴彌 | 申請(專利權)人: | 電氣化學工業株式會社 |
| 主分類號: | C09K11/80 | 分類號: | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 楊黎峰;李欣 |
| 地址: | 日本東京都中央*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 型賽隆 發光 裝置 及其 用途 | ||
1.一種α型賽隆,其用通式:(M)x(Eu)y(Si)12-(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16-n表示,其中,M是從Li、Mg、Ca、Y以及除了La和Ce之外的鑭系元素中選出的至少包含Ca的一種以上的元素,所述α型賽隆的一次粒子的50%面積平均粒徑為5μm以上,并且,1.4≤x≤1.8;0.02≤y≤0.06;3.0≤m≤3.6;0.0≤n≤0.8。
2.如權利要求1所述的α型賽隆,其中,所述α型賽隆的一次粒子的50%面積平均粒徑與二次粒子的50%面積平均粒徑之比為0.56以上。
3.如權利要求1或2所述的α型賽隆,其中,所述α型賽隆的一次粒子數與二次粒子數之比為2.5以下。
4.如權利要求1所述的α型賽隆,其中,所述α型賽隆的一次粒子的10%面積平均粒徑為3μm以上。
5.如權利要求4所述的α型賽隆,其中,所述α型賽隆的一次粒子的10%面積平均粒徑與二次粒子的10%面積平均粒徑之比為0.65以上。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的α型賽隆,其中,所述α型賽隆的二次粒子的50%體積平均粒徑D50粒徑為13μm以上至30μm以下。
7.一種發光裝置,其包括發光光源和波長轉換部件,所述波長轉換部件包括熒光體,其中,所述熒光體包含權利要求1至6中任意一項所述的α型賽隆,所述α型賽隆的一次粒子的50%面積平均粒徑為5μm以上。
8.如權利要求7所述的發光裝置,其中,所述熒光體還包含Eu固溶β型賽隆。
9.如權利要求7所述的發光裝置,其中,所述熒光體還包含CaAlSiN3。
10.如權利要求7至9中任意一項所述的發光裝置,其中,所述發光光源為,用于產生300nm~500nm波長的光的LED芯片。
11.一種照明裝置,其具有權利要求7至10中任意一項所述的發光裝置。
12.一種信號機,其具有權利要求7至10中任意一項所述的發光裝置。
13.一種液晶面板,其具有權利要求7至10中任意一項所述的發光裝置。
14.一種圖像顯示裝置,其具有權利要求7至10中任意一項所述的發光裝置。
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