[發(fā)明專利]一種平面型子像元結(jié)構(gòu)銦鎵砷紅外探測(cè)器芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210019745.3
• 申請(qǐng)日: 2012-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN102544043A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧洪海;唐恒敬;李淘;李雪;魏鵬;朱耀明;王云姬;楊波;龔海梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L31/0216
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種平面型子像元結(jié)構(gòu)銦鎵砷紅外探測(cè)器芯片，在InP襯底(1)上通過外延方法依次生長(zhǎng)N型InP層(2)、銦鎵砷本征吸收層(3)、N型InP帽層(4)和生長(zhǎng)氮化硅擴(kuò)散掩膜層(5)，然后腐蝕擴(kuò)散掩膜層形成子像元擴(kuò)散窗口區(qū)(6)，擴(kuò)散形成子像元PN結(jié)區(qū)(7)和載流子側(cè)向收集區(qū)(8)，在光敏元的兩端生長(zhǎng)單層Au形成P電極(9)，在芯片表面淀積二氧化硅形成增透層(10)，通過常規(guī)濕法腐蝕工藝打開P電極(9)孔，依次生長(zhǎng)Cr、Au形成環(huán)形遮蓋電極作為加厚電極(11)將所有子像元的P電極(9)引出并相連，芯片背面拋光后生長(zhǎng)單層Au形成N電極(12)；其特征在于：

A.所述的子像元擴(kuò)散窗口區(qū)(6)形狀為矩形，數(shù)量大于等于2，一字型并排，其間距相同，控制為10～30μm；

B.所述的P電極(9)生長(zhǎng)在子像元兩端，并使用加厚電極(11)將兩端的P電極連接；加厚電極為環(huán)形遮蓋電極，內(nèi)圍尺寸與整個(gè)器件的光敏元大小保持一致；

C.所述的子像元PN結(jié)區(qū)(7)為淺結(jié)，深度大于N型InP帽層(4)的厚度0.1～0.2μm；

D.所述的銦鎵砷本征吸收層(3)厚度為1～3μm。