[發明專利]用于再利用源襯底的方法

無效

• 申請號: 201210019521.2
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN102629551A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: M·勒孔特;P·蓋納爾;S·里加爾;D·索塔;F·雅南;C·貝蒂祖
• 申請（專利權）人: SOITEC公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種用于再利用源襯底(1)的方法，所述源襯底(1)包括表面區域(6)和所述表面區域(6)上的浮雕區域(5)，所述浮雕區域(5)對應于所述源襯底(1)的層(4)的殘余區域，在實現在由所述源襯底(1)的被破壞的材料形成的弱化界面(2)處的分離的先前的移除步驟期間，所述殘余區域不從源襯底(1)的其余部分分離，所述表面區域(6)對應于在所述先前的移除步驟期間不從所述源襯底(1)的其余部分分離的弱化界面(2)的部分，其特征在于，所述方法包括所述源襯底(1)的選擇性電磁輻射，所述選擇性電磁輻射在使得所述表面區域(6)的被破壞的材料吸收所述電磁輻射的波長上進行。

2.根據權利要求1所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述浮雕區域(5)對應于來自所述源襯底(1)的所述層(4)的材料環和/或對應于來自所述源襯底(1)的所述層(4)的隨機分布在所述表面區域(6)上的未轉移材料區。

3.根據權利要求1或2所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述選擇性電磁輻射在所述源襯底(1)的整個面積上進行。

4.根據權利要求1或2所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述選擇性電磁輻射由檢測所述浮雕區域(5)的光學裝置控制，從而使所述輻射局部地在所述浮雕區域(5)上進行。

5.根據權利要求4所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述光學裝置通過所述弱化界面(2)的所述被破壞的材料和所述源襯底(1)的未破壞材料之間的光學對比的差異來檢測所述浮雕區域(5)。

6.根據前述任意一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述源襯底(1)由選自以下材料至少其中之一的體材料組成：SiC或二元、三元或四元III-N材料，或者，所述源襯底(1)由GaNOS、InGaNOS、SiCOI或SiCopSiC類型的復合結構組成。

7.根據前述任意一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中通過將離子種類(10)注入到所述源襯底(1)中來生成所述弱化界面(2)。

8.根據前述任意一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，包括在所述選擇性電磁輻射之后進行所述源襯底(1)的表面區域(6)的化學機械拋光。

9.根據權利要求8所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其特征在于，所述化學機械拋光采用了添加了添加劑的膠狀酸溶液，所述添加劑特別為鉆石微粒和/或氧化劑。

10.根據前述任意一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中通過激光器進行所述源襯底(1)的所述選擇性電磁輻射。

11.根據權利要求10所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述源襯底(1)的材料是GaN，且所述激光器在大于或等于370nm的波長上發射。

12.根據權利要求10所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述源襯底(1)的材料是SiC，且所述激光器在大于或等于415nm的波長上發射。

13.根據權利要求10到12中任意一項所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述激光器是脈沖模式釔鋁石榴石激光器。

14.根據權利要求13所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中所述激光器具有0.1到2J/cm²的功率密度。

15.根據前述任意一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，包括在所述源襯底(1)的一個表面上的至少一層材料的外延生長。

16.根據前一項權利要求所述的用于再利用源襯底(1)的方法，其中在所述選擇性電磁輻射之后暴露的表面上進行材料的所述外延生長。

17.根據前述任意一項權利要求所述的方法來再利用從而被重新使用的源襯底(1)。

18.一種用于將來自根據權利要求13再利用的源襯底(1)的層(4)轉移到支撐襯底(3)的方法，包括以下步驟：

-在所述再利用的源襯底(1)的界定所述層(4)的厚度的深度處生成弱化界面(2)；

-使所述再利用的源襯底(1)和支撐襯底(3)接觸；以及

-破裂熱處理。