[發明專利]2．5D/3D集成電路系統的ESD保護

有效

• 申請號: 201210019492.X
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN103000625A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 陳佳惠;曾瑞村
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/04
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種集成電路結構，包括：

第一集成電路器件和第二集成電路器件，設置在中介層上，每個集成電路器件中都具有與內部ESD總線相連接的靜電放電(ESD)保護電路，所述中介層包括與所述第一集成電路器件和所述第二集成電路器件的所述ESD總線電連接的ESD總線，用于向所述集成電路器件提供交叉器件ESD保護。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一集成電路器件和所述第二集成電路器件通過所述中介層與位于所述中介層的底面的相應接地連接器相連接，并且所述中介層的ESD總線與位于所述中介層的底面的相應接地連接器電連接。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述中介層包括金屬互連層，并且所述中介層的所述ESD總線形成在所述金屬互連層內的金屬線級層內。

4.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述中介層的所述ESD總線以網狀結構被布置在所述第一集成電路器件和所述第二集成電路器件下面。

5.根據權利要求4所述的集成電路結構，并且其中，所述第一集成電路器件和所述第二集成電路器件的ESD總線直接與所述中介層的ESD總線電連接，而在其間沒有連接任何有源器件。

6.根據權利要求4所述的結成電路結構，其中，所述第一集成電路和所述第二集成電路至少包括：第一ESD保護電路和第二ESD保護電路，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路分別電連接在所述第一集成電路器件的ESD總線和所述第二集成電路器件的ESD總線與所述中介層的ESD總線之間。

7.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述中介層的所述ESD總線包括：

第一環形結構，設置在所述第一集成電路器件下面；以及

第二環形結構，設置在所述第二集成電路器件下面，并且與所述中介層中的所述第一環形結構相連接。

8.根據權利要求7所述的集成電路結構，其中，所述第一集成電路器件的ESD總線和所述第二集成電路器件的ESD總線分別直接與所述第一環形結構和所述第二環形結構電連接，而在其間沒有連接任何有源器件。

9.根據權利要求7所述的集成電路，其中，所述第一集成電路和所述第二集成電路至少包括第一ESD保護電路和第二ESD保護電路，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路分別電連接在所述第一集成電路器件和所述第一環形結構之間以及所述第二集成電路器件和所述第二環形結構之間。

10.根據權利要求1所述的集成電路結構，至少包括：第一ESD保護電路和第二ESD保護電路，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路分別電連接在所述第一集成電路器件的低電源節點和所述第二集成電路器件的低電源節點與所述中介層的所述ESD總線之間。

11.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路分別包括在所述第一集成電路器件和所述第二集成電路器件內，并且電連接在每個集成電路器件的所述低電源節點和ESD總線之間。

12.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路形成在所述中介層中。

13.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述第一ESD保護電路和所述第二ESD保護電路均包括交叉相連的二極管對。

14.一種集成電路結構，包括：

中介層，包括金屬互連層和所述金屬互連層之間的襯底層；以及

第一集成電路芯片和第二集成電路芯片，設置在所述中介層上，每個集成電路器件具有芯片上靜電放電(ESD)保護電路，每個集成電路芯片的所述芯片上ESD保護電路都包括用于電源到接地保護的ESD電源箝位電路以及輸入/輸出(I/O)信號ESD保護電路；以及

第一噪聲隔離ESD保護電路和第二噪聲隔離ESD保護電路，分別用于隔離與所述第一集成電路芯片和所述第二集成電路芯片相關的不同的接地之間的噪聲；以及

其中，為了向所述集成電路芯片提供交叉器件ESD保護，所述中介層包括與所述第一噪聲隔離ESD保護電路和所述第二噪聲隔離ESD保護電路電連接的ESD總線。