[發(fā)明專利]移位寄存器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210019319.X
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN103218962A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡易宬
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種移位寄存器，且特別是有關(guān)于一種根據(jù)閾值溫度而改變電壓的移位寄存器。

背景技術(shù)

隨著面板技術(shù)的發(fā)展，陣列基板行驅(qū)動技術(shù)(Gate?on?Panel，簡稱為GOP)的使用也越見普及。顯示面板經(jīng)常利用移位寄存器產(chǎn)生選通脈沖(gate?pulse)來驅(qū)動像素。然而，移位寄存器內(nèi)的驅(qū)動晶體管在一般操作環(huán)境下，雖然可以正常工作，但在環(huán)境溫度為高溫、低溫的情況時，卻容易發(fā)生漏電流、漣波(ripple)等問題。

請參見圖1，其于不同的環(huán)境溫度下，晶體管的導(dǎo)通電流相對應(yīng)于跨壓變化的示意圖。需注意的是，在此附圖中，電流數(shù)值的大小以對數(shù)(log)表示，因此，在縱軸上的每一個刻度，均代表電流值在一個數(shù)量級的變化。

附圖中以虛線標(biāo)示的曲線代表在溫度為攝氏80度時，晶體管的柵-源電壓壓差(Vgs)與驅(qū)動晶體管的漏電流的關(guān)系。而附圖中相對右側(cè)且較粗的曲線，則代表在環(huán)境溫度為攝氏25度時，漏電流與驅(qū)動晶體管的柵-源壓差Vgs之間的關(guān)系變化。

此外，由圖1可知，當(dāng)驅(qū)動晶體管的柵-源壓差Vgs＝0伏特時，驅(qū)動晶體管雖然應(yīng)該處于關(guān)閉的狀態(tài)，但是在實際上在源極、漏極之間卻存在漏電流。

當(dāng)驅(qū)動晶體管的柵-源壓差Vgs＝0伏特時，若環(huán)境溫度＝80度，流經(jīng)驅(qū)動晶體管的漏電流為1.8e-9安培；對照于環(huán)境溫度＝25度時，流經(jīng)驅(qū)動晶體管的漏電流為3.3e-10安培。可以看出，環(huán)境溫度的高低對于漏電流的影響很大。

當(dāng)顯示電路存在漏電流時，顯示面板的穩(wěn)定性相當(dāng)容易受到影響。特別是因為移位寄存器會使用前、后級的輸出信號，導(dǎo)致漏電流對電路操作形成遞回的影響。亦即，即使驅(qū)動晶體管的柵-漏極之間的電壓維持不變，但是在溫度越高時，驅(qū)動晶體管的漏電流情形卻更嚴(yán)重。

再者，當(dāng)驅(qū)動晶體管操作在線性區(qū)時，導(dǎo)通驅(qū)動晶體管的電流公式可以表示為：

Id=12μxWL[2vgs-vth)Vds-Vds2]]]>

根據(jù)此公式可以得知，當(dāng)溫度變高時，電子的漂移特性(mobility)增強，此時導(dǎo)通電流Id會變大。在低溫時，由于電子的漂移特性變小，導(dǎo)通電電流Id會變小。

然而，對于顯示面板來說，其輸出端信號out_n會傳送至后端使用。因此，當(dāng)驅(qū)動晶體管在低溫下操作時，由于導(dǎo)通電流較小的關(guān)系，相對容易受到信號遞回的影響，導(dǎo)致位于后級的移位寄存器所產(chǎn)生的輸出電流偏弱，使得顯示畫面無法正常被顯示。

由此可知，目前顯示器所使用的移位寄存器的設(shè)計仍不理想，而可能導(dǎo)致畫面顯示時，容易受到環(huán)境溫度的影響而產(chǎn)生異常動作。因此，如何在不同溫度環(huán)境下，提供穩(wěn)定操作的移位寄存器，便成為一個重要而待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種移位寄存器，包含：驅(qū)動晶體管，包括柵極、漏極接收時鐘信號，以及源極產(chǎn)生輸出信號；上拉單元，電連接于該柵極并接收該動作信號，當(dāng)該動作信號動作時，開啟該驅(qū)動晶體管；第一下拉單元，電連接于該柵極、接收該停止信號與第一低電壓，當(dāng)該停止信號動作時，提供該第一低電壓以關(guān)閉該驅(qū)動晶體管；第二下拉單元，電連接于該漏極，其接收該停止信號與第二低電壓，其中，當(dāng)該驅(qū)動晶體管關(guān)閉時，該輸出信號為該第二低電壓；當(dāng)該驅(qū)動晶體管開啟時，將該時鐘信號作為該輸出信號，且該第一低電壓小于等于該第二低電壓，其中，當(dāng)環(huán)境溫度大于第一閾值溫度時，增加該第一低電壓與該第二低電壓之間的差值。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1，其于不同的環(huán)境溫度下，晶體管的導(dǎo)通電流相對應(yīng)于跨壓變化的示意圖。

圖2A，其描繪根據(jù)本發(fā)明構(gòu)想的移位寄存器電路架構(gòu)的示意圖。